本文以ZnCl_2,CrCl_3·6H_2O和氨水缓冲溶液为原料,在4T脉冲磁场下水热法制备了Cr掺杂ZnO稀磁半导体晶体,通过X射线衍射分析、扫描电子显微镜观察及采用振动样品磁强计进行磁性分析等,探讨了脉冲磁场对其微观结构及磁性能的影响.结果表明:Cr掺杂ZnO稀磁半导体晶体仍保持ZnO的六方纤锌矿结构,脉冲磁场具有促进晶粒生长及取向排列的作用,4T脉冲磁场条件下合成的Cr掺杂ZnO稀磁半导体具有良好的室温铁磁性,其饱和磁化强度(M_s)为0.068 emu/g,而无脉冲磁场情况下制备的样品室温下呈顺磁性,并且,脉冲磁场下制备将稀磁半导体的居里温度提高了16 K.
