电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金
- 作品数：41 被引量：130H指数：6
- 相关作者：李斌恩云飞罗宏伟姚若河宋芳芳更多>>
- 相关机构：信息产业部电子第五研究所华南理工大学东南大学更多>>
- 发文基金：国防科技重点实验室基金国防科技技术预先研究基金西安应用材料创新基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术动力工程及工程热物理更多>>
- 微波电子回旋共振等离子体化学气相淀积法制备非晶氟化碳薄膜的研究被引量：4
- 2006年
- 采用电子回旋共振等离子体化学气相淀积(ECR-CVD)法,以C4F8和CH4为源气体制备了非晶氟化碳(a-C:F)薄膜.X射线电子能谱(XPS)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)分析表明,a-C:F薄膜退火后厚度减小是由于位于a-C:F薄膜交联结构末端的C—C和CF3结合态的热稳定性较差,导致退火时容易生成气态挥发物造成的.a-C:F膜介电常数在300℃氮气气氛中退火后由于电子极化增大和薄膜密度增加而上升,界面态陷阱密度从(5—9)×1011eV-1·cm-2降至(4—6)×1011eV-1·cm-2.a-C:F薄膜导电行为在低场强区域呈现欧姆特性,在高场强区域符合Poole-Frankel机理.非定域π电子在带尾形成陷阱且陷阱能量在退火后降低,从而使更多陷阱电子在场增强热激发作用下进入导带并引起电流增大.
- 吴振宇杨银堂汪家友
- 关键词：A-C:FECR-CVD电学性质
- PMOSFET动态NBTI效应的研究被引量：2
- 2010年
- 负偏压温度不稳定性效应(NBTI)已经成为影响CMOS集成电路可靠性的一个关键因素,而动态应力条件下的NBTI效应对器件和电路的影响越来越受到关注。对PMOSFET的动态NBTI效应进行了系统介绍,讨论了动态应力条件下NBTI(DNBTI)效应和静态应力下NBTI(SNBTI)退化机理,综述了DNBTI效应的动态恢复机制以及影响因素,最后介绍了NBTI效应对电路的影响。随着器件尺寸的日益缩小,如何提高电路的可靠性变得日益重要,进一步研究NBTI效应对电路的影响从而进行NBTI电路级可靠性设计已成为集成电路设计关注的焦点。
- 宋芳芳解江李斌章晓文
- 关键词：PMOS可靠性
- CMOS集成电路IDD频谱图形测试理论与实践被引量：3
- 2002年
- 分析了CMOS集成电路电源电流与集成电路芯片缺陷的相关性，介绍了CMOS集成电路新的测试方法--IDD频谱图形测试方法的测试原理，以及实现CMOS集成电路IDD频谱图形测试的测试框图。
- 李少平肖庆中
- 关键词：CMOS集成电路电源电流
- 双向电流应力下的金属膜电迁移机理研究被引量：2
- 2004年
- 对脉冲应力作用下金属铝膜的电迁移失效机理进行了研究,研究了纯交流应力对金属铝膜电迁移可靠性的影响,对影响测试结构的相关因素作了详细的描述。借助于脉冲波形的傅里叶级数分解,研究了一般交流应力条件下金属化电迁移的影响因素,建立了一般交流应力条件下金属铝膜电迁移寿命模型。
- 章晓文恩云飞
- 关键词：电迁移
- 基于VC++与ANSYS行波管慢波结构模态分析系统
- 2010年
- 为对行波管慢波结构进行高效模态分析,整合了基于Ansys的模态分析和通用软件开发平台VC++6.0的功能,开发了慢波结构振动有限元分析系统。研究了VC环境下对ANSYS的封装嵌套、ANSYS批处理程序的调用、VC++后处理的实现等。系统建立了友好的操作界面,可直接输入结构材料参数进行模态计算,代替人机交互的GUI方式,从而提高了慢波结构模态分析效率和可靠性,为解决通用程序和专业软件间的矛盾提供了一种新的途径。
- 冯先龙宋芳芳恩云飞
- 关键词：VC++ANSYS二次开发慢波结构模态分析
- a-C:F薄膜结构与电学性能研究被引量：3
- 2006年
- 采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法,以C4F8和CH4为源气体,在不同气体流量比R(R=[CH4]/([CH4]+[C4F8]))条件下沉积氟化非晶碳(a-C:F)薄膜。用原子力显微镜(AFM)分析了薄膜的表面形貌。用柯西(Cauchy)模型和Levenberg-Marquardt非线性迭代算法分析了薄膜的椭圆光谱。用X光电子能谱(XPS)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)技术分析了薄膜的化学成分。随着气体流量比R的增大a-C:F薄膜C-C键结构增多,薄膜C/F比增大。a-C:F薄膜的介电常数取决于电子极化并随R的增大而上升。a-C:F薄膜导电行为在低场强区域呈现欧姆特性,在高场强区域符合Poole-Frankel机制。随着C-C含量的增大,π价带态和π*导带态之间的带隙减小,电荷陷阱深度减小,陷阱中的电子在场增强热激发作用下更容易进入导带,导致薄膜漏电流增加。
- 吴振宇杨银堂汪家友
- 关键词：A-C:F电学性能ECR-CVD化学组分
- 通孔微结构对Cu/低-k应力诱生空洞的影响被引量：1
- 2011年
- 基于Cu的随动强化模型,采用有限元分析方法,对不同Cu/低-k通孔微结构中的应力情景进行模拟分析,探讨了因互连通孔和通孔阻挡层形成工艺的波动性,造成通孔高度、通孔沟槽深度和通孔底部阻挡层厚度的变化,以及这一变化对互连通孔和通孔底部互连应力诱生空洞的影响.结果表明:Cu/低-k互连中的通孔微结构效应,是影响互连应力和形成应力诱生空洞的重要因素.大高宽比的通孔结构更易因通孔高度变化而发生应力诱生空洞;通孔沟槽可以有效提高互连应力迁移的可靠性,但需要控制其深度;通孔底部阻挡层厚度对互连应力诱生空洞性能具有矛盾性,需要折中考虑.
- 林晓玲侯通贤章晓文姚若河
- 关键词：工艺波动
- FLOTOX结构的EEPROM可靠性研究被引量：5
- 2004年
- 分析了影响FLOTOXEEPROM可靠性的主要因素,包括可编程窗口的退化,电荷保持特性的退化以及与时间有关的氧化层击穿等.FLOTOX的可靠性与隧穿氧化层的质量密切相关.隧穿氧化层中产生的缺陷(陷阱电荷)是引起FLOTOXEEPROM性能退化的主要原因.实验证实氧化层中的陷阱电荷对FLOTOXEEPROM性能的退化起主要作用.
- 罗宏伟杨银堂朱樟明解斌王金延
- 关键词：EEPROM可靠性快闪存储器
- 薄栅氧化层斜坡电压TDDB寿命评价被引量：2
- 2005年
- 随着超大规模集成电路的不断发展,薄栅氧化层的质量对器件和电路可靠性的作用越来越重要。经时绝缘击穿(TDDB)是评价薄栅氧化层质量的重要方法。文章着重于薄栅氧化层TDDB可靠性评价的斜坡电压试验方法的研究,基于斜坡电压实验,提取模型参数,分别利用线性场模型和定量物理模型,外推出工作电压下栅氧化层的寿命。通过分析斜坡电压实验时氧化层的击穿过程,提出斜坡电压实验时利用统一模型外推栅氧化层的寿命比较合适。
- 王茂菊李斌章晓文陈平韩静
- 关键词：可靠性
- 硅脉冲双极型微波功率管参数退化探索被引量：1
- 2009年
- 首先提出了硅脉冲双极型微波功率晶体等在应用中会出现功率增益、饱和压降以及EB结反向击穿电压参数的退化现象,并对此进行了研究探索。测试了良品和失效品EB结的正向特性和C-V特性,通过比较分析两者的区别,从理论推导并得出了退化的一大原因是由于基区浓度值的减小以及浓度梯度降低的结论。分析表明,导致基区浓度发生变化的原因是器件长期工作在高温下而发生了杂质再扩散。
- 潘金辉来萍李斌廖超
- 关键词：微波功率晶体管功率增益饱和压降击穿电压
