河北省科技攻关计划(052135165)
- 作品数：1 被引量：1H指数：1
- 相关作者：任清华李宏杰薛建华吕树慧王爱坤更多>>
- 相关机构：河北科技大学更多>>
- 发文基金：河北省科技攻关计划更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 梯度掺杂半导体电场强度的数值计算被引量：1
- 2009年
- 采用累积误差小的Runge-Kutta-Verner方法,热平衡条件下n区厚度为80,100,200μm,分别在指数掺杂和线性掺杂方案下数值求解了掺杂半导体中的电场强度分布.研究发现,在掺杂总量保持不变时,指数掺杂优于线性掺杂.
- 王爱坤任清华薛建华李宏杰吕树慧
- 关键词：光伏电池梯度掺杂半导体
- 梯度掺杂半导体电场强度的数值计算
- 单晶硅电池具有重量轻、体积小、效率高、光谱响应范围广等优点,一直占据着光伏市场的最大份额。但由于硅是间接跃迁型材料,其效率和电池的厚度密切相关。为了节约能源,降低硅电池的成本,人们一直努力研制硅片薄但效率高的电池。近年来...
- 王爱坤薛建华李宏杰吕树慧
- 文献传递
