国家重点实验室开放基金(SKL200804SIC)
- 作品数：2 被引量：5H指数：1
- 相关作者：李永祥王东生杜建周许艳艳李雪华更多>>
- 相关机构：中国科学院南京航空航天大学更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学机械工程更多>>
- 退火处理对LaAlO_3薄膜发光特性的影响被引量：1
- 2010年
- 在室温下,采用射频磁控溅射法在p-Si(100)衬底上制备了铝酸镧(LaAlO3)薄膜,分别在800℃,900℃和950℃下进行退火处理。利用X射线衍射(XRD)仪、原子力显微镜(AFM)、荧光分光光度计等研究了不同温度退火处理对LaAlO3薄膜结构、表面形貌及光学性质的影响。研究结果表明,LaAlO3薄膜样品在900℃开始由非晶向晶体转变,说明高温退火有利于提高结晶质量。光致发光(PL)谱测量发现样品在368,470nm位置处分别出现发光峰,各峰的强度随退火温度的升高逐渐增强,但峰位基本保持不变。根据吸收光谱和缺陷能级图,推测出368nm紫外光峰来源于电子从氧空位形成的缺陷能级到价带顶能级的跃迁,470nm附近的蓝光峰归因于电子从负价AlLa错位缺陷能级到价带顶能级的跃迁。
- 杜建周王东生谷志刚赵志敏陈会杨世波李永祥
- 关键词：薄膜光学射频磁控溅射退火处理光致发光
- 玻璃基底上氧化铟锡薄膜的光致发光性能被引量：4
- 2011年
- 用直流磁控溅射法在190℃玻璃基底上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜,利用荧光分光光度计研究了ITO薄膜的光致发光性能。结果表明,室温下ITO薄膜在波长250 nm光源的激发下,分别在467 nm和751 nm处观察到了发光强度较强的蓝光宽带和强度较弱的红光带。上述发光峰的出现分别和ITO薄膜中的氧空位、铟空位等缺陷在禁带中形成的能级有关,其中氧空位形成的施主能级位于导带下1.2 eV处,而铟空位形成的受主能级位于价带下1.65 eV处。
- 王东生杜建周李雪华许艳艳李永祥
- 关键词：氧化铟锡薄膜光致发光直流磁控溅射能级
