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国家自然科学基金(10575078)

作品数:9 被引量:26H指数:4
相关作者:李金钗廖蕾卢红兵许磊王多发更多>>
相关机构:武汉大学华北水利水电学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家基础科学人才培养基金更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 9篇中文期刊文章

领域

  • 9篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇氧化锌
  • 4篇纳米
  • 4篇光学
  • 4篇光学性
  • 4篇光学性质
  • 3篇ZNO
  • 2篇水热
  • 2篇水热法
  • 2篇热法
  • 2篇纳米棒
  • 2篇缓冲层
  • 2篇ZNO纳米
  • 1篇电化学
  • 1篇电化学沉积
  • 1篇电化学法
  • 1篇亚微米
  • 1篇氧化铈
  • 1篇阵列
  • 1篇溶胶
  • 1篇溶胶凝胶

机构

  • 8篇武汉大学
  • 1篇华北水利水电...

作者

  • 8篇李金钗
  • 4篇卢红兵
  • 4篇廖蕾
  • 2篇王多发
  • 2篇许磊
  • 2篇冯仕
  • 2篇冯秀丽
  • 1篇张天杰
  • 1篇朱昱
  • 1篇蔡洪涛
  • 1篇田玉
  • 1篇吴云
  • 1篇李洋沐
  • 1篇何辉
  • 1篇吴幕宏

传媒

  • 7篇武汉大学学报...
  • 1篇信阳师范学院...
  • 1篇Wuhan ...

年份

  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 2篇2008
  • 2篇2007
  • 2篇2006
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
Cr掺杂Si基稀磁半导体的制备及其磁学特性被引量:1
2008年
采用Cr离子注入方法,在不同气体环境下退火制备了两种具有不同磁化率和居里温度的Cr掺杂p型(111)Si基稀磁半导体样品.利用X射线衍射(XRD)、傅立叶变换红外(FT-IR)光谱和超导量子干涉仪(SQUID)对样品的晶体结构、化学键及磁学特性的变化进行表征.实验发现,该样品在H2气中退火后,氢原子钝化了Cr离子注入时引起的样品中的Si悬挂键缺陷(形成Si—H),增加了传导电子的长程相互作用,使样品的居里温度达280 K,远高于同一条件下在Ar气中退火样品的居里温度(100 K).部分氢原子束缚了样品中的受主载流子,降低了磁化率,导致在低温区(小于50 K)H2气中退火样品的磁化强度小于在Ar气中退火样品的磁化强度.这为室温铁磁半导体的研制提供了实验依据.
吴云廖蕾吴幕宏卢红兵李金钗
关键词:离子注入红外光谱居里温度磁化率
ZnO纳米结构的电化学法可控生长及其机理被引量:4
2007年
以溶胶-凝胶法制备c轴取向为主的ZnO薄膜作缓冲层,采用阴极电化学沉积技术制备高c轴取向ZnO纳米结构.在0.7 mA/cm^2的恒定电流密度下生长出直径约50 nm、密度为2.5×107 mm^-2的垂直向上的ZnO纳米杆阵列,通过逐渐增大电流密度(0.4~0.9 mA/cm^2)或逐渐减小电流密度(0.9~0.4 mA/cm^2)分别研制出直径逐渐变小或变大的纳米杆阵列,实现了纳米杆形貌、尺寸的可控生长.c轴择优取向的同质ZnO缓冲层既为纳米杆的定向生长提供了形核中心又减小了纳米杆的晶格失配度,有ZnO缓冲层样品的强紫外光发射和较弱的与缺陷相关的可见光发射的光致发光结果证实了缓冲层对提高样品晶体质量的重要作用.
李金钗朱昱卢红兵田玉
关键词:电化学沉积缓冲层
Fe-Co-Ni衬底上准定向ZnO亚微米杆的制备及其光学性质
2009年
以Fe-Co-Ni合金为衬底,硝酸锌(Zn(NO3)2.6H2O)和氨水(NH3.H2O)为原料,采用水热法生长出准定向的ZnO亚微米杆阵列.运用X射线衍射(XRD)、高分辨透射电镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)及室温光致发光谱(PL)研究了ZnO样品的结构、形貌和光学性质.在合适温度(85℃)下长出的ZnO亚微米杆直径较均匀,定向性较好,具有良好的紫外发光特性;在较高的生长温度(100℃)下得到的ZnO样品是分叉杆簇团.Ni衬底上的生长实验获得了类似于Fe-Co-Ni衬底上的准定向ZnO亚微米阵列.
冯秀丽李金钗冯仕
关键词:氧化锌水热法
ZnO/ZnS核-壳纳米杆的制备及其光学性质被引量:4
2009年
用溶液法在镀有ZnO缓冲层的硅衬底上制备出定向ZnO纳米杆阵列,然后再通过硫代乙酰胺(TAA)辅助硫化法将氧化锌一维纳米结构转化为ZnO/ZnS的核-壳纳米结构.运用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和室温光致发光谱(PL)研究了样品的结构、形貌和光学性质.结果表明,ZnO/ZnS核-壳纳米杆的带边发光峰比ZnO纳米杆有显著增强,且峰位蓝移.
冯仕李金钗冯秀丽
关键词:溶液法光致发光
准定向ZnO纳米棒阵列的溶液生长制备及光学性质研究被引量:5
2008年
通过溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜,使其充当控制ZnO纳米线(棒)生长的先驱物种子,再采用溶液生长法制备ZnO纳米棒,运用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和室温光致发光谱(PL)研究了ZnO样品的结构、形貌和光学性质.结果表明先驱ZnO颗粒薄膜可以控制生长准定向的ZnO纳米棒.样品的PL测试结果表明,溶液法制备的ZnO样品具有微弱的紫外发光峰和宽又强的可见发射波带,可见峰与样品的本征缺陷相关.
许磊张天杰廖蕾李金钗蔡洪涛
关键词:氧化锌纳米棒溶胶凝胶法光学性质
CeO_2/ZnO复合纳米结构的水热法研制
2010年
以硅片为衬底,使用六水合硝酸锌(Zn(NO3)2·6H2O)、六水合硝酸铈(Ce(NO3)3·6H2O)以及六次甲基四胺(C6H12N4)为原料,采用水热法在90℃下生长出表面修饰CeO2纳米颗粒的ZnO亚微米杆,运用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)及电子能谱仪(EDX)研究了样品的晶体结构、表面形貌和成分.实验结果表明,在不同的初始溶液浓度下长出的纳米结构有不同的形貌、结构和成分.通过对不同条件产物的形貌和结构的观察,发现在Ce(NO3)3·6H2O与Zn(NO3)2·6H2O的摩尔比例为1∶10时生长出的纳米颗粒浓密且均匀地附着在纳米杆的表面.这种纳米颗粒表面修饰的复合结构在CO的选择性探测方面有更好的应用价值.
王杲祯李洋沐李金钗
关键词:氧化铈氧化锌水热法复合结构
ZnO多枝纳米棒水热法生长及其光学性质被引量:11
2006年
以硝酸锌(Zn(NO3)2.6H2O)和六亚甲基四胺(C6H12N4)为原料,采用水热法在90℃生长出具有多枝六方纳米棒的ZnO纳米结构,运用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和室温光致发光谱(PL)研究了ZnO样品的结构、形貌和光学性质.观察到多枝纳米棒的形成和生长情况,发现多枝ZnO纳米结构由单根纳米棒演化而来,不同发展阶段样品的PL谱呈现出强的黄绿光发射现象.样品的高斯拟合PL谱揭示了没有分枝的纳米棒样品中,氧间隙缺陷远多于氧空位缺陷,而分枝的ZnO样品中氧间隙缺陷与氧空位缺陷浓度的比值降低.
许磊廖蕾李金钗王多发卢红兵
关键词:氧化锌光学性质
ZnO缓冲层上定向ZnO纳米杆阵列的制备被引量:1
2006年
利用Zn膜热氧化获得的非晶ZnO薄膜作为缓冲层,再采用Zn粉热蒸发工艺合成出定向、致密且直径较细(≈40nm)的单晶ZnO纳米杆阵列,其阵列密度约为2.3×10^7mm^-2.比较了在厚度不同的Zn膜所形成的ZnO缓冲层上生长的ZnO纳米杆形态,讨论了ZnO缓冲层表面形貌对ZnO纳米杆生长形态的影响.结果表明,随Zn膜厚度的增加,ZnO缓冲层从岛状大颗粒(0.5~1μm)并伴有密集小颗粒(〈20nm)状态变为连续薄膜,所得ZnO纳米杆从沿大颗粒表面无规则发散生长并伴小颗粒上的准定向生长转变成垂直于衬底的大面积定向生长,且纳米杆阵列也随着Zn膜厚度增加而变得定向、致密、和分布均匀.
何辉李金钗廖蕾卢红兵王多发
关键词:氧化锌缓冲层纳米杆
Synthesis,Characterization and Photoluminescence of Well-Ordered ZnO Micropillars Grown on ZnO Buffer Layers
2007年
Using ZnO buffer layers prepared by simply thermal oxidation of ion beam sputtered Zn films, highly oriented and uniformly aligned single-crystalline ZnO micropillars arrays have been synthesized by thermal evaporation of Zn powder with free catalysts at low temperature of 430 ℃. The ZnO micropillars show sharp hexagonal umbrella-like tips with thin ZnO nanowire grown on the tips. The umbrella-like tips grow in a layer-by-layer mode along the direction of [001]. The growth mechanism has been discussed. The formation of the micropillars basically de-pends on the gradually decreasing Zn vapor pressure and subse-quently cooling process. The photoluminescence (PL) spectrum indicates a moderately good crystal quality of the ZnO micropil-lars. Our results may reinforce the understanding of the formation mechanism of different ZnO nano/microstructures. This kind of complex microstructures may find potential applications in multi-functional microdevices, optoelectronic and field emission devices.
LU Hongbing TIAN Yu HU Meifeng SHUAI Min LI Jinchai
关键词:离子束溅射过渡层
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