国家自然科学基金(60266002)
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- 在导电玻璃衬底上热壁外延生长GaAs薄膜
- 2003年
- 该文报道以导电玻璃为衬底,采用热壁外延方法,制备GaAs多晶薄膜材料.采用电子探针(EPMA)测定薄膜的组分、表面与剖面形貌,x射线衍射(XRD)分析生长薄膜的结构,Raman散射(RSS)、光致发光光谱(PL)分析其光学性能.结果表明该薄膜性能良好、表面呈绒面结构、适合制作GaAs薄膜太阳电池.并全面分析了现有制备工艺条件对GaAs薄膜性能的影响,得出最佳的生长温度条件:源温为900～930℃,衬底温度为500℃.
- 涂洁磊
- 关键词：热壁外延太阳电池
- 生长条件对GaAs/Si薄膜结构特性的影响
- 2003年
- 该文介绍以单晶Si为衬底,热壁外延制备适合作太阳电池的GaAs多晶薄膜.采用电子探针(EPMA)测定薄膜的组分、表面与剖面形貌,x射线衍射(XRD)分析生长薄膜的结构特性.并分析了各种工艺条件对GaAs薄膜结构特性的影响,得出制备表面呈绒面结构、晶粒为柱状结构、可用作廉价、高效GaAs太阳电池衬底的多晶薄膜材料的最佳生长条件:源温为900℃,衬底温度为700℃,生长时间为3h.
- 涂洁磊
- 关键词：太阳电池绒面
- MIp+-AlxGa1-xAs/p-n-n+-GaAS太阳电池的电特性
- 太阳电池在光照工作状态下,两极间有一个正向偏压V加在结上,这时在电池内产生光电流I的同时,将产生一个与之方向相反的“暗电流I(V)”,则输出到负载上的电流I为I=I-I(V)。因此,在一定工作电压下,欲获得最高的转换效率...
- 陈庭金王履芳涂洁磊
- 关键词：太阳电池
- 文献传递
- MIp+-AlxGa1-xAs/p-n-n+-GaAs太阳电池的理论I-V特性
- 本文对新型高效率复合结构太阳电池进行了理论设计。首先设计了该电池的能带结构:在其I/p-AlGaAs结构的Ⅰ层表面引入固定负电荷,并用减反射膜覆盖,使其将p-AlGaAs层的空穴吸引到表面,使得该表面的能带向上弯曲,构成...
- 王履芳涂洁磊陈庭金
- 关键词：太阳电池I-V特性
- 文献传递
- MIp+-AlxGa1-xAS/p-n-n+-GaAS太阳电池的光电流
- 本文对MIp-AlGaAs/p-n-n-GaAs太阳电池,在各区域都存在恒定漂移场以及能带结构模型下,对其光电流和光谱响应在理论上进行了严格的数学处理,得到了该电池光电流依赖于太阳电池表面、界面复合速度、各区存在的漂移场...
- 涂洁磊陈庭金王履芳
- 关键词：太阳电池光电流
- 文献传递
