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国家科技支撑计划(2007BAK26B06)

作品数:2 被引量:8H指数:2
相关作者:祁争健韦斌王雪梅孙岳明何艳芳更多>>
相关机构:东南大学更多>>
发文基金:国家科技支撑计划国家重点基础研究发展计划江苏省普通高校研究生科研创新计划项目更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学

主题

  • 2篇电化学
  • 2篇噻吩
  • 2篇聚噻吩
  • 1篇低聚
  • 1篇低聚物
  • 1篇电化学性质
  • 1篇电离
  • 1篇电离能
  • 1篇电致发光
  • 1篇电子亲合能
  • 1篇循环伏安
  • 1篇化学性质
  • 1篇交替共聚
  • 1篇交替共聚物
  • 1篇共聚
  • 1篇共聚物
  • 1篇共轭
  • 1篇发光
  • 1篇噁二唑

机构

  • 2篇东南大学

作者

  • 2篇孙岳明
  • 2篇王雪梅
  • 2篇韦斌
  • 2篇祁争健
  • 1篇肖英勃
  • 1篇何艳芳
  • 1篇石晨

传媒

  • 1篇有机化学
  • 1篇应用化学

年份

  • 2篇2009
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
3-烷基噻吩交替共聚物的合成及其电化学性质被引量:3
2009年
通过Heck偶联法合成了4种3-烷基噻吩交替共聚物:聚(2,4-二乙烯基-3-己基噻吩-1,3,4-二唑)(P3HT-OXD)、聚(2,4-二乙烯基-3-辛基噻吩-1,3,4-二唑)(P3OT-OXD)、聚(2,4-二乙烯基-3-己基噻吩-吡啶)(P3HT-Py)和聚(2,4-二乙烯基-3-辛基噻吩-吡啶)(P3OT-Py)。用NMR、GPC等测试技术对其结构进行了表征。采用循环伏安法、紫外-可见吸收光谱法研究了系列共聚物光电性能。结果表明,随噻吩环3位取代烷基碳链的增长,聚合物电离能(Ip)减小,带隙(Eg)也随之变窄。其中,P3OT-OXD的Eg比P3HT-OXD小0.11 eV,P3OT-Py的Eg比P3HT-Py小0.19 eV,在3-烷基噻吩聚合物主链上引入吸电子能力较强的二唑单元,可有效提高共聚物电子亲合能(Ea),对提高电子传输能力,改善电子与空穴注入平衡有积极作用。
王雪梅石晨肖英勃韦斌孙岳明祁争健
关键词:聚噻吩循环伏安电子亲合能电离能
新型p-/n-掺杂型共轭低聚物的合成及其光学和电化学性能研究被引量:5
2009年
通过Heck偶联法制备了一种新型p-/n-掺杂型电致发光材料——3-十二烷氧基噻吩-共-1,3,4-噁二唑共轭低聚物(P3DDOTV-OXD),用核磁共振氢谱(1HNMR)及凝胶色谱(GPC)对其结构进行了分析表征.用紫外-可见光谱法(UV-Vis)、荧光光谱法及电化学分析法对其光学和电化学性能进行了研究.结果表明:P3DDOTV-OXD的重均分子量为:5287(四氢呋喃为流动相,聚苯乙烯为标准样品).在氯仿溶液中,P3DDOTV-OXD的紫外最大吸收波长为314nm,在401nm处发射出明亮的蓝光;其最大发射波长较规整均聚物(HTP3DDOT)(λmax=516nm)蓝移了115nm.循环伏安测定结果表明:P3DDOTV-OXD在正、负向区域分别出现了氧化还原峰,电子亲和能(Ia)为2.88eV,有利于电子从阴极的注入.3-十二烷氧基噻吩-共-噁二唑共轭低聚物有望成为集空穴、电子双向传输为一体的新型光电功能材料.
祁争健何艳芳孙岳明韦斌王雪梅
关键词:聚噻吩噁二唑低聚物电致发光
共1页<1>
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