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国家自然科学基金(61274010)

作品数：10 被引量：10H指数：1
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相关领域：理学化学工程一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 6篇理学
  • 3篇化学工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇脉冲激光
  • 4篇脉冲激光沉积
  • 2篇水热
  • 2篇水热法
  • 2篇水热法合成
  • 2篇热法
  • 2篇热法合成
  • 2篇脉冲激光沉积...
  • 2篇合金
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  • 2篇VO2
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  • 1篇带隙
  • 1篇低能电子
  • 1篇低能电子衍射
  • 1篇第一性原理
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  • 1篇第一性原理研...
  • 1篇电子束蒸发

机构

  • 9篇湖北大学

作者

  • 8篇何云斌
  • 5篇黎明锴
  • 3篇常钢
  • 2篇卢寅梅
  • 2篇尚勋忠
  • 2篇高小琴
  • 2篇李派
  • 1篇杨辉
  • 1篇黄忠兵
  • 1篇朱家昆
  • 1篇罗明海
  • 1篇陈强
  • 1篇周盈盈

传媒

  • 4篇湖北大学学报...
  • 3篇材料科学
  • 1篇物理学报
  • 1篇Journa...
  • 1篇中国材料科技...

年份

  • 2篇2018
  • 4篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2013
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
高性能锆钛酸铅(PZT)粉体的水热法合成及其压电陶瓷性能研究被引量：5
2016年
以氧氯化锆、钛酸四丁酯、硝酸铅为前驱物,采用两步水热法合成钙钛矿结构的Pb Zr0.52Ti0.48O3粉体并制备陶瓷样品.通过XRD、SEM及电学性能等测试,系统研究了矿化剂浓度对PZT粉体结晶性、形貌以及最终烧结陶瓷样品电学性能的影响,初步探讨了PZT粉体在不同碱度下的生长机理.实验结果表明,较低碱度条件有助于制备结晶性良好、单一分散的立方体形貌的PZT粉体,由该粉体烧结的陶瓷样品的电学性能(d33=310 p C/N,kp=53.2%,ε33T/ε0=1 358,tanδ=0.005)明显优于高碱度水热条件制备粉体所烧结的陶瓷及传统固相法制备的陶瓷的压电性能(d33=223 p C/N,kp=40%,ε33T/ε0=1 330,tanδ=0.004).
周盈盈高小琴常钢舒宏辉尚勋忠周桃生何云斌
关键词：压电陶瓷PZT水热法碱度
高质量外延VO2薄膜制备及其金属-绝缘体相变特性研究被引量：1
2017年
采用脉冲激光沉积法,在c面蓝宝石衬底上,以VO_2陶瓷作为烧蚀靶材,高纯氧气作为反应气体,固定衬底温度600℃,通过改变生长氧压制备VO_2薄膜.利用X线衍射仪、原子力显微镜、四探针测试仪测试,系统研究生长氧压对VO_2薄膜晶体结构、表面形貌、金属-绝缘体相变(MIT)特性的影响.实验结果表明:生长氧压1.2 Pa时,薄膜(020)晶面摇摆曲线半高宽低至0.061°,结晶质量高;薄膜表面平整光滑;薄膜相变温度接近68℃,金属-绝缘体转变特性显著,电阻率有4个数量级变化.
唐志武徐马记陶欣黎明锴何云斌
关键词：VO2
超薄VO2外延薄膜的制备及其金属-绝缘体相变的原位研究被引量：1
2017年
采用电子束蒸发法(EBE)在单晶TiO_2(110)衬底上沉积VO_2超薄薄膜.实验以高纯金属V棒为蒸发源,高纯氧气作为反应气体,固定生长温度330℃,氧压2×10^(-6)mbar,然后通过改变不同的V蒸发速率和生长时间制备出不同特性的VO_2薄膜.利用原位的扫描隧道显微镜、低能电子衍射(LEED)和X线光电子能谱系统地分析所得样品的表面形貌、结构特征以及相转变过程中的能带结构变化,并对比找出EBE制备法的最佳生长条件.结果表明,当蒸发束流固定在20nA时,LEED点阵较亮,薄膜显示出接近于原子级平滑的表面;随着生长时间的增加,表面变粗糙,点阵变暗,V的价态逐渐降低,从+5价过渡到+3价;在薄膜厚度接近10个原子层时,薄膜存在金属-绝缘体相变行为.
徐马记唐志武李派黎明锴何云斌
关键词：VO2薄膜电子束蒸发法扫描隧道显微镜低能电子衍射
SnO薄膜在r面蓝宝石衬底上的外延生长及其性能研究
2017年
以SnO陶瓷为靶材,采用脉冲激光沉积法(PLD),在厚度为330 nm的r面蓝宝石衬底上制备厚度约为270 nm的单相SnO外延薄膜,并通过改变衬底温度,系统地研究生长温度对薄膜结构及光学性质的影响.X线衍射(XRD)测试表明,在衬底温度小于或等于575℃时,成功制备出单相的SnO外延薄膜.薄膜与衬底蓝宝石的外延关系为:SnO(001)∥Al_2O_3(1-102),SnO[110]∥Al_2O_3[-12-10].而当温度大于575℃时,由于歧化反应:(1+x)SnO→xSn+SnO_(1+x),得到的SnO薄膜中存在少量的金属Sn相、Sn_3O_4及SnO_2相.透射光谱显示,样品在可见光区的透过率高达80%.薄膜的光学带隙随温度的增加呈现V字型变化趋势.衬底温度小于或等于575℃时,薄膜的光学带隙随温度的升高而减小;当生长温度大于575℃时,由于SnO_2的出现导致薄膜的带隙随温度升高而变大.
张迷郑丽兰黎明锴卢寅梅何云斌
关键词：光学带隙
水热法合成锆钛酸铅PZT纳米线
2013年
压电材料锆钛酸铅（PZT）纳米线具有优异的传感和驱动性能，同时其尺寸小，比表面积大，在纳米器件方面具有良好的应用前景，如纳米级的压电传感器和驱动器，超声装置等。相比较于大多数文献要通过加入表面活性剂PVA或者PAA等合成PZT纳米线，本文在不使用任何表面活性剂的条件下，采用ZrC102（8H20），（C4H20）tTi，Pb（N03）3为前驱物，KOH为矿化剂，两步水热合成直径为200～500m、长度为10～50μm的PZT纳米线，水热过程所得产物并非钙钛矿结构，而是体心四方相结构（简称PX相）的P打纳米线。该纳米线经过退火处理（650℃退火20min），可以实现晶型从体心四方到钙钛矿结构的转变。
高小琴常钢尚勋忠卢寅梅周桃生何云斌
关键词：水热法锆钛酸铅纳米线
沉积氧压对二氧化钒薄膜结构、光电性能及其MIT相变特性的影响研究被引量：1
2018年
本工作中我们采用脉冲激光沉积法,以金属钒靶作为烧蚀靶材、高纯氧气作为反应气体,通过改变薄膜生长时的氧压,在TiO2 (110)衬底上制备VO2薄膜。利用X射线衍射仪、X射线光电子能谱分析仪、紫外-可见-近红外光谱测试仪、四探针测试仪系统测试并研究了薄膜生长氧压对VO2薄膜的结构、成分、光学性能及金属-绝缘体相变特性的影响。实验结果表明:不同氧压下制备的VO2薄膜(011)晶面X射线衍射摇摆曲线半高宽都很小(在0.12?~0.27?范围),表明薄膜的面外取向度很高;当氧压为6.5 Pa时,制备的VO2薄膜摇摆曲线半高宽最小(0.116?),相变前后薄膜对太阳能调制最大、其电阻开关比达到4个数量级,薄膜相变温度接近63℃,金属-绝缘体转变特性显著。
陶欣陆浩李派卢寅梅何云斌
关键词：VO2薄膜脉冲激光沉积法
CdxZn1-xO合金热力学性质的第一性原理研究被引量：1
2016年
ZnO的能带工程是当前ZnO研究的热点之一通过等价阳离子如Cd,Be,Mg等部分取代Zn形成CdZnO,BeZnO,MgZnO等合金来调控ZnO带隙的研究己广泛开展.其中,Cd的掺杂可以减小ZnO的禁带宽度,使CdZnO合金在紫外一可见光波段光电器件中具有潜在的应用价值.本文利用第一性原理计算结合集团展开法,通过研究纤锌矿(WZ)和岩盐矿(RS)型Cd_xZn_(1-x)O合金不同Cd掺杂含量下各种构型的形成能,发现了纤锌矿结构的两种亚稳相Cd_(1/3)Zn_(2/3)O,Cd_(2/3)Zn_(1/3)O;对其晶格常数·键长·键角和电子结构的分析表明,随着Cd掺杂量的增大,晶格常数a,c均逐渐增大,而c/a值逐渐减小,O—Zn(Cd)—O键角及合金禁带宽度均逐渐减小.通过对Cd_xZn_(1-x)O合金的有效集团交互系数的分析得出,两个原子组成的集团中其有效集团交互系数最大,表明两原子集团对用集团展开法计算的形成能贡献最大.通过比较第一性原理计算的形成能和集团展开法拟合计算得到的形成能,发现两者相差很小,表明采用集团展开法拟合计算Cd_xZn_(1-x)O合金的形成能准确、可靠,通过对大量Cd_xZn_(1-x)O合金的形成能分析发现,大部分Cd_xZn_(1-x)O的形成能比同组分的ZnO与CdO混合相的能量高,表明ZnO和CdO互溶时会形成固溶度间隙,低温下难以实现全组分固溶.在此基础上,我们计算了WZ-和RS-Cd_xZn_(1-x)O随机合金的形成能并得到了相图.对于纤锌矿结构,其临界温度为1000 K;对于岩盐矿结构,其临界温度为2250 K.更高的临界温度表明Cd_xZn_(1-x)O难以形成岩盐矿结构的合金.进一步计算获得WZ-和RS-Cd_xZn_(1-x)O的两相相图,发现Cd较易固溶于WZ-ZnO中,而Zn较难固溶于RS-CdO中.
罗明海黎明锴朱家昆黄忠兵杨辉何云斌
关键词：第一性原理计算形成能
Structural and Optical Properties of Zno1-Xsx Thin Films Grown by Pulse Laser Deposition on Glass Substrates
With a wide band gap of 3.4 eV and a large exciton binding energy of 60meV at room temperature, ZnO is attract...
Lei ZhangLianghengWangMingkaiLiXunzhongShangYunbinHe
文献传递
First-principles Study of Divalent ⅡA and Transition ⅡB Metals Doping into Cu_2O被引量：1
2015年
Divalent IIA metals such as Be, Mg, Ca, Sr, Ba and transition IIB metals such as Zn, Cd were investigated as possible n-type dopants into the Cu2 O theoretically by using the first-principles calculations based on density functional theory. By systematical analyses of the lattice parameters, the bond length, the electronic structure, the local density of states and the defect formation energy for various doping systems, it is revealed that Ca, Sr, Ba and Be are more suited for n-type doping into Cu2O as shallow donors, compared to Mg which introduces a relatively deep donor level in Cu2O. Meanwhile, Zn and Cd can hardly be doped into Cu2O due to the positive formation energy of relevant defects.
朱家昆LUO Minghai黎明锴何云斌
关键词：CU2O
氧压变化对脉冲激光沉积法制备BeMgZnO四元合金薄膜性能的影响
2018年
本工作采用脉冲激光沉积法,以BeMgZnO陶瓷为靶材、c面蓝宝石为衬底,在固定衬底温度700?C、改变沉积氧压条件下制备BeMgZnO四元合金薄膜。采用X射线衍射、X射线光电子能谱、紫外-可见光谱法系统表征研究了这些薄膜。结果表明,通过Be-Mg共取代ZnO,有效提高了Mg在合金薄膜中的含量。当Mg的含量达到44.4%时,BeMgZnO薄膜中仍无相分离发生,并且此时BeMgZnO薄膜的带隙达到4.19 eV,在可见光波段的透过率也高达85%。
杨蓉慧子黎明锴常钢卢寅梅何云斌
关键词：四元合金脉冲激光沉积
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