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国家基础科研基金资助项目(A1120060954)

作品数：1 被引量：2H指数：1
相关作者：王勇杨克武张志国杨瑞霞李丽更多>>
相关机构：中国电子科技集团第十三研究所河北工业大学更多>>
发文基金：国家基础科研基金资助项目国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇整流特性
  • 1篇输出功率
  • 1篇蓝宝
  • 1篇蓝宝石
  • 1篇蓝宝石衬底
  • 1篇功率
  • 1篇功率特性
  • 1篇ALGAN/...
  • 1篇HFET
  • 1篇衬底

机构

  • 1篇河北工业大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇冯震
  • 1篇李丽
  • 1篇杨瑞霞
  • 1篇张志国
  • 1篇杨克武
  • 1篇王勇

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2006
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
蓝宝石衬底AlGaN/GaN HFET功率特性被引量：2
2006年
通过台面隔离与注入隔离结合的方法,解决了由于GaN外延材料缓冲层质量差造成的AlGaN/GaN HFET击穿电压低的问题.通过优化的500℃/50s栅退火条件,改善Ni-AlGaN/GaN二极管特性,理想因子和势垒高度分别优化到1.5和0.87eV.通过改进AlGaN/GaN HFET制备工艺,得到提高器件输出功率的优化工艺,采用这一工艺制备的蓝宝石衬底总栅宽为1mm,器件在频率为8GHz时输出功率达到4.57W,功率附加效率为55.1%.
张志国杨瑞霞李丽冯震王勇杨克武
关键词：ALGAN/GANHFET整流特性输出功率
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