国家高技术研究发展计划(2008AA03Z401)
- 作品数：3 被引量：12H指数：2
- 相关作者：介万奇李焕勇李文渭王丹余文涛更多>>
- 相关机构：西北工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 单质直接气相生长ZnSe单晶被引量：8
- 2008年
- 本文直接以高纯Zn、Se单质为原料，加入少量碘单质作为反应输运剂，用化学气相输运（CVT）的方法一步成功的生长出了ZnSe单晶。采用XRD、EDS、紫外可见分光光度计和光致发光（PL）技术研究了生长的ZnSe晶体的结构、成份以及光学特性。结果表明，生长的ZnSe单晶具有较好结晶性能，成份接近理想的化学计量比，在500—2000nm范围内透过率达到65％～70％，在1．9—2．5eV范围内存在与Zn空位和杂质能级相关的发光带。由Zn和Se单质在输运剂I2的辅助下一步直接生长ZnSe单晶是可行的。
- 李文渭李焕勇介万奇
- 开放体系优化ZnSe多晶原料化学计量比被引量：2
- 2010年
- 本文采用开放体系对两单质加反应促进剂I2合成的ZnSe多晶原料进行了提纯。以高纯氩气为保护气体,提纯温度分别为500℃、550℃和800℃。能谱分析(EDS)和热重图谱(TG)结果表明:800℃处理后的ZnSe多晶原料,其化学计量比与理想化学计量比非常接近,而且升华开始温度提高到了850℃以上。运用化学气相输运(CVT)法进行晶体生长结果进一步表明,以800℃处理后的ZnSe多晶为原料时,消除了单质Se在生长区沉积对晶体成核生长的影响,达到了CVT法晶体生长对原料的要求。此外,以混合气体(H210%+Ar 90%)作为保护气时,在同等条件下处理后的ZnSe多晶原料,其化学计量比更加接近理想化学计量比,较氩气保护下的处理效果要好。
- 余文涛李焕勇介万奇刘正堂
- 关键词：硒化锌化学计量比
- 化学气相沉积法制备ZnSe微球被引量：3
- 2011年
- 采用化学气相沉积方法,以NiSe2为前驱体,制备出尺寸均匀、分散度好的ZnSe微球。通过XRD、EDS和FESEM对产物的结构、成分和形貌进行了测试与表征。结果表明：所得ZnSe微球为立方闪锌矿结构,直径在800~1000 nm之间,具有近于理想的化学计量比。变温光致发光谱研究表明,ZnSe微球在550~640 nm处存在与Zn空位及杂质能级相关的发光峰。
- 王丹李焕勇介万奇
- 关键词：ZNSE化学气相沉积微球光致发光
