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天津市应用基础与前沿技术研究计划(06YFJZJC00200)

作品数:4 被引量:4H指数:1
相关作者:毛陆虹郭维廉张世林王倩陈燕更多>>
相关机构:天津大学天津工业大学更多>>
发文基金:天津市应用基础与前沿技术研究计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 1篇等效串联电阻
  • 1篇电路
  • 1篇电路模型
  • 1篇调制器
  • 1篇探测器
  • 1篇谐振器
  • 1篇环形谐振器
  • 1篇沟槽隔离
  • 1篇光电
  • 1篇光电集成接收...
  • 1篇光电探测
  • 1篇光电探测器
  • 1篇光调制
  • 1篇光调制器
  • 1篇硅发光
  • 1篇硅发光二极管
  • 1篇硅光电探测器
  • 1篇二极管
  • 1篇发光
  • 1篇发光二极管

机构

  • 4篇天津大学
  • 1篇天津工业大学

作者

  • 4篇毛陆虹
  • 3篇郭维廉
  • 2篇王倩
  • 2篇张世林
  • 1篇王蕊
  • 1篇余长亮
  • 1篇黄家乐
  • 1篇朱浩波
  • 1篇黄春红
  • 1篇张彬
  • 1篇梁惠来
  • 1篇陈燕
  • 1篇杨广华
  • 1篇陈铭义
  • 1篇宋瑞良
  • 1篇王伟

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 2篇2007
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
光调制器综述被引量:4
2008年
在光纤通信中,光调制器光信号调制发挥着不可替代的作用。介绍了光调制器的发展历程和最新进展,详细分析了不同种类的Si基光调制器的工作原理。与化合物材料光调制器进行了对比,指出最新技术利用Si作为基本材料,研究起步较晚,但是进展较快,但目前其相应速度等特性还比不上化合物调制器。表明由于Si基光调制器易与CMOS和VLSI工艺兼容,实现光电集成的全Si化和单片化是目前的一个研究热点。
陈燕张世林张彬毛陆虹郭维廉
关键词:光调制器环形谐振器
带浅沟槽隔离的双光电二极管电路模型研究
2007年
通过器件模拟并结合实验结果,在已有PIN(Positive intrinsic negative)和DPD(Double photo-diodes)探测器电路模型基础之上,对带浅沟槽隔离(STI)准PIN结构的DPD探测器电路模型进行了探讨。模拟了由深N阱和浅沟槽给DPD带来的性能上的改变,同时结合实验结果,从响应电流和探测器的等效串联电阻两方面对电路模型进行了修正,得到了符合该器件的较准确电路模型。
王倩毛陆虹梁惠来张世林郭维廉黄家乐
关键词:硅光电探测器电路模型等效串联电阻
前均衡CMOS光电集成接收机概念的提出和模拟
2007年
提出了一种解决CMOS光电集成接收机灵敏度和速度问题的新方法——前均衡法,即在接收放大电路的前端对传输信号进行频率补偿,并分别采用并联谐振回路、三次阶梯网络和高通滤波器峰化技术设计了三种前均衡0.35μmCMOS光电集成接收机.其中,光电探测器选用面积为40μm×40μm的叉指型双光电二极管结构,实验测得该二极管的频率响应带宽为1.1GHz,结电容为0.95pF.对接收机的模拟结果表明:采用三次阶梯网络峰化技术的前均衡方案可有效提高光接收机的灵敏度和速度,并可实现灵敏度为-14dBm,3dB带宽为2GHz,BER为10-12的0.35μmCMOS光电集成接收机.
余长亮毛陆虹朱浩波宋瑞良陈铭义王倩王蕊
关键词:CMOS光电集成接收机
标准CMOS工艺U型Si LED器件发光分析
2009年
描述了用于制备SiLED发光器件的Si材料的一些特性和Si发光器件的发光原理,分析了影响Si发光器件发光性能的主要因素。介绍了采用新加坡Charter公司的0.35μm标准CMOS工艺最新设计和制备的U型SiLED发光器件,设计和制备此U型器件主要目的是尽可能大的提高侧面发光效率。在对器件进行了电学和光学特性的测量后,得到了SiLED发光及实际版图的显微图形以及器件的正反向I-V特性和发光光谱。器件在室温下反向偏置,50mA电流下所得辐射亮度值为14.43nW,发光峰值在772nm处。
杨广华毛陆虹王伟黄春红郭维廉
关键词:硅发光二极管
共1页<1>
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