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国家高技术研究发展计划(2001AA311140)

作品数：5 被引量：9H指数：2
相关作者：刘俊岐王占国刘峰奇路秀真郭瑜更多>>
相关机构：中国科学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 5篇量子级联
  • 5篇量子级联激光...
  • 5篇激光
  • 5篇激光器
  • 2篇分子束
  • 2篇分子束外延
  • 2篇波导
  • 2篇GAAS
  • 1篇单模
  • 1篇英文
  • 1篇有效折射率
  • 1篇有效折射率法
  • 1篇折射率
  • 1篇腔长
  • 1篇转移矩阵法
  • 1篇谐振腔
  • 1篇AL
  • 1篇GA
  • 1篇AS

机构

  • 5篇中国科学院

作者

  • 5篇刘峰奇
  • 5篇王占国
  • 5篇刘俊岐
  • 3篇郭瑜
  • 3篇路秀真
  • 2篇李路
  • 1篇黄秀颀
  • 1篇车晓玲
  • 1篇邵晔
  • 1篇邵烨
  • 1篇雷文

传媒

  • 4篇Journa...
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 2篇2005
  • 1篇2004
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
9.0μm GaAs基量子级联激光器的波导优化(英文)
2007年
通过转移矩阵法和有效折射率法计算了9·0μmGaAs基量子级联激光器波导的模式损耗和限制因子,从而对其波导结构进行优化.计算中考虑了各外延层的厚度、脊宽和腔长的影响.给出了在较低阈值下节约材料生长时间的各外延层厚度.
李路刘峰奇邵烨刘俊岐王占国
关键词：量子级联激光器转移矩阵法有效折射率法
短腔长单模量子级联激光器
2006年
报道了激射波长为5.4和7.84μm的应变补偿In1-xGaxAs/In1-yAlyAs量子级联激光器的单模激射.以高质量的应变补偿量子级联激光器材料为支撑,通过减小FP腔长,开辟实现单模器件的新途径.首次实现阈值电流仅为50mA、腔长为145μm的激射波长在λ≈5.4μm的单模激射和阈值电流仅为80mA、腔长为170μm的激射波长在λ≈7.84μm的单模激射.这是目前InGaAs/InAlAs材料体系最短腔长的边发射量子级联激光器.
刘峰奇郭瑜李路邵晔刘俊岐路秀真王占国
GaAs基量子级联激光器材料结构设计的进展被引量：5
2004年
GaAs基量子级联激光器的出现,在器件的设计制作和处理工艺上开辟了有意义的前景。本文概述了近年来GaAs基量子级联激光器在波导核心层、波导以及光学谐振腔方面设计的原理、进展,并介绍了一些新颖的结构。
刘俊岐刘峰奇车晓玲黄秀颀雷文王占国
关键词：量子级联激光器波导谐振腔
Ga As/Al Ga As量子级联激光器被引量：3
2005年
利用分子束外延方法生长了激射波长约为 9μm的 GaAs/Al0 45 Ga0 55 As量子级联激光器.条宽 35μm,腔长2mm的器件准连续激射温度最高达120K,81K下未经收集效率修正的峰值功率超过70mW.
刘俊岐路秀真郭瑜刘峰奇王占国
关键词：量子级联激光器分子束外延
7.8μm二级分布反馈量子级联激光器被引量：2
2005年
报道了基于应变补偿的InP基In0.53+xGa0.47-xAs／In0.52-yAl0.48+yAs分布反馈量子级联激光器．采用二级光栅作为反馈，激射工作波长为7．8μm，在1％占空比，5kHz频率的工作条件下，在93～173K的温度范围内，单模发射光谱边模抑制比均超过20dB，调谐系数dλ／dT=0．5125nm／K．在93K时，峰值功率为30mW，直到153K时，峰值光功率仍达到12mW．
郭瑜刘峰奇刘俊岐路秀真王占国
关键词：量子级联激光器分子束外延
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共1页<1>
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