国家高技术研究发展计划(2002AA420050)
- 作品数：18 被引量：49H指数：5
- 相关作者：丁玉成卢秉恒刘红忠李寒松严乐更多>>
- 相关机构：西安交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程理学电气工程更多>>
- 微压印光刻的模具制作工艺研究被引量：2
- 2003年
- 从模具材料研究模具制作工艺问题,通过实验研究,对比分析了有机玻璃模具和硅橡胶模具制作工艺。实验表明,可以复制出特征尺寸为0.35μm和0.1μm的有机玻璃模具和硅橡胶模具,均具有很高的复型精度。由于硅橡胶模具制作工艺在复型精度、复型精度稳定性和制作速度上均优于有机玻璃模具,且缺陷密度低于有机玻璃模具。因此,选用基于高复型精度软硅橡胶模具的软压印光刻工艺。
- 秦旭光李涤尘李寒松丁玉成卢秉恒
- 关键词：压印光刻硅橡胶有机玻璃
- 高保真度五步加载纳米压印光刻的研究被引量：2
- 2005年
- 从理论上建立了压印光刻工艺中留膜厚度与压印力的关系,为压印预设曲线的建立提供了理论依据.基于液态光敏抗蚀剂在紫外光照射下发生光固化反应这一特性,对固化过程进行了详细的分析,建立了抗蚀剂的固化深度与紫外光曝光量之间的关系.在分析了现有压印工艺存在的问题后,提出了一个全新的压印工艺:高保真度固化压印,即包括特征转移-抗蚀剂减薄-脱模回弹力释放-保压光固化-脱模等压印过程.实验结果表明,高保真度固化压印过程与加载路线能实现复杂图形特征的复制,从而保证了压印图形的保真度,并可保证图形复制的一致性及适度留膜厚度,压印图形的分辨率可达100 nm.
- 严乐刘红忠丁玉成卢秉恒
- 关键词：压印光刻加载抗蚀剂高保真度
- 分步式压印光刻研究
- 2006年
- 针对微纳制造中光刻环节的光衍射限制，讨论了可能成为下一代光刻技术路线的压印光刻。通过对比热压印、微接触转印及常温压印的技术特点，设计了一套低成本、结构简单的紫外光固化常温压印光刻机构。其大行程纳米级定位、纳米级下压系统消除了压印过程中的机构热变形误差、驱动间隙、蠕动误差等，具有分步式纳米级驱动多场压印及纳米级下压加载能力，可实现多次重复高保真图形复制。
- 邱志惠丁玉成刘红忠卢秉恒
- 关键词：压印光刻
- 冷压印光刻中高分辨率抗蚀剂的研究被引量：5
- 2003年
- 在集成电路的冷压印光刻中,为了获得高分辨率抗蚀剂,着重对溶剂挥发固化型、化学交联固化型和紫外光照交联固化型材料,从复形分辨率、涂铺均匀性、脱模性、流动性、物理粘度、刻蚀比率、固化速度、固化方式和固化收缩率等方面进行了分析和研究.经过对比,得出低粘度光固化树脂具有薄膜厚度容易控制且均匀(误差为0 3%)、固化速度快(小于0 2min)和固化收缩率小(3%)等特性,其对冷压印光刻工艺的匹配性明显优于溶剂挥发固化型和化学交联固化型材料.因此,最终决定采用低粘度光固化树脂作为冷压印光刻工艺中的抗蚀剂.
- 李寒松丁玉成王素琴卢秉恒刘红忠
- 关键词：集成电路抗蚀剂
- 压印工作台的纳米级自找准定位研究被引量：10
- 2003年
- 针对分步压印光刻工艺超高精度的对准要求,论述了一套由光栅、驱动器及激光干涉仪构成的闭环超高精度自对准定位系统.为了消除外界干扰引起的激光干涉仪误差对整个系统精度的影响,系统采用粗精两组光栅和相应两组光强传感器来实现工作台三维位置度的检测.驱动环节采用宏微两级,相对于粗精两组光栅检测进行驱动,实现了分步式压印光刻的多点定位找准和多层压印的对准要求.为了提高在驱动过程中的定位精度和抗干扰能力,系统采用了精确模型匹配(EMM)算法,最终实现了在压印光刻工艺中,步进精度小于10nm、多层压印重复对准精度小于20nm的超高定位精度要求,使系统的整体定位找准精度控制在8nm以内.
- 刘红忠丁玉成卢秉恒金涛
- 关键词：压印光刻光栅驱动器
- 等离子体浓度对离子撞击材料表面能量通量的影响被引量：2
- 2006年
- 研究了射频鞘层中离子轰击材料表面的能量通量与等离子体浓度之间的关系。在射频鞘层模型基础上,推出了离子轰击材料表面的速度、浓度及能量通量的表达式。分析了等离子体浓度对离子能量通量的影响。实验数据与理论分析有较好吻合,验证了理论分析的正确性。等离子体浓度对离子能量通量起双重作用:一方面,等离子体浓度的增加削弱离子能量;另一方面,等离子体浓度增大使轰击材料表面离子的数量增加。等离子体浓度较低时,前者的作用较大并且影响比较显著;随等离子体浓度升高,后者的作用增大,并且等离子体浓度对离子能量通量的影响趋于平缓。
- 李志刚丁玉成
- 关键词：等离子体离子能量通量
- 驱动电流密度对低压容性射频鞘电势及离子动能的影响被引量：2
- 2005年
- 研究了离子轰击被加工材料表面的能量与射频驱动电流密度之间的关系.在Lieberman的低压容性射频等离子鞘模型基础上,考虑Bohm速度对应的鞘前电势差,将鞘前电势差与Lieberman的鞘内电势合并,发展了Lieberman的模型,并推出了总电势差与驱动电流密度的关系式.利用总鞘电势差计算了经时间平均的鞘电场加速后离子获得的动能,由于鞘电势差和平均离子动能及其增幅随电流密度的增加而增加,因此射频驱动电流密度对鞘电势差及平均离子动能起激励作用.通过实验,测量了时间平均鞘电势差及驱动电流密度值,实验结果与理论结果吻合较好,因此验证了理论分析的正确性.
- 李志刚丁玉成
- 关键词：射频电流密度电势
- 步进闪光压印光刻模具制作工艺研究被引量：5
- 2006年
- 由于硅橡胶具有良好的自适应性和优异的脱模性,所以选取硅橡胶作为模具材料,并确定使用硅橡胶加石英硬衬作为压印光刻工艺的模具.分析了硅橡胶模具制作工艺中真空辅助浇铸的成型过程,以及交联固化反应过程的各个工艺参数对硅橡胶模具性能的影响,通过大量实验,具体分析了硅橡胶单体和固化剂配比、浇铸真空压力、固化温度及固化时间等工艺参数,并由此得到了优化的硅橡胶固化工艺参数,提高了硅橡胶模具的物理性能.实验表明,硅橡胶模具具有良好的自清洁功能,其表面图形完好,图形转移效果优异,完全能够满足300 nm特征尺寸图形复型转移压印的要求.
- 李寒松丁玉成卢秉恒
- 关键词：压印光刻硅橡胶
- 微细加工中的快速复型研究
- 2003年
- 论述了在集成电路和微电子机械微细制造中的光刻技术,为了实现0.1μm甚至更小特征尺寸的光刻而采用的快速复型技术;这种技术吸收了电子束光刻和压印光刻的优点,同时又弥补了它们各自相应的缺点和不足,解决了光刻环节中光刻速度与特征尺寸小的矛盾,实现了大面积、快速、低成本和高精度的微细加工。
- 刘红忠丁玉成李涤尘卢秉恒李寒松
- 关键词：集成电路微电子机械光刻微细加工
- 多层冷压印光刻中超高精度对正的研究被引量：2
- 2004年
- 为满足多层冷压印光刻中套刻的超高精度要求,提出了基于斜纹结构光栅的对正技术.利用光电接收器件阵列组合接收光栅产生莫尔条纹的零级光,得到条纹平面内X、Y方向的对正误差信号.通过调整光栅副的间隙来提高误差信号的对比度.利用高对比度和灵敏度的误差信号作为控制系统的驱动信号,对承片台进行宏微两级驱动控制,并由激光干涉仪作为控制系统的反馈环节在驱动过程中进行全程监测,实现自动对正.最终使在X、Y方向上的重复对正精度达到了±20nm,满足了100nm特征尺寸压印光刻的对正精度要求.
- 王莉卢秉恒崔东印丁玉成刘红忠
- 关键词：压印光刻莫尔条纹
