天津市科技攻关计划(06YFGPGX08000)
- 作品数：4 被引量：17H指数：3
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- Si基薄膜太阳电池绒面ZGO透明导电膜的研究被引量：8
- 2010年
- 采用孪生对靶直流磁控溅射的方法在室温下制备高质量的Ga掺杂ZnO(ZGO)透明导电薄膜,用HCl腐蚀的方法获得满足光散射特性的绒面ZGO薄膜。制备的ZGO样品为具有六角纤锌矿结构的多晶膜,具有(002)方向的择优取向。腐蚀后,绒面ZGO薄膜的晶粒度减小,电阻率基本不变。在可见光范围内,绒面ZGO的反射率比平面ZGO的反射率下降了10%左右。将绒面ZGO薄膜应用于p-i-n型非晶Si薄膜太阳电池中,有效提高了太阳电池性能,使得电池的短路电流提高到17.79 mA/cm2,电池的转换效率增加到7.23%。
- 隋妍萍姜元建蔡宏琨陶科王林申赵静芳张德贤
- 关键词：太阳电池
- 柔性衬底非晶硅薄膜太阳电池量子效率的研究被引量：5
- 2009年
- 量子效率是太阳电池对光的吸收能力的评定标准之一。本文通过对柔性衬底倒结构n-i-p非晶硅薄膜太阳电池量子效率的测量,同时结合本征材料吸收特性,讨论了衬底温度和反应压强对太阳电池量子效率的影响。结果表明:本征非晶硅薄膜的吸收特性是影响太阳电池量子效率的主要因素,同时光生载流子在本征层和界面处的复合也会对太阳电池的量子效率有所影响。经过反应条件优化得到了转换效率为5.67%的聚酰亚胺衬底太阳电池。
- 张德贤薛颖蔡宏琨陶科姜元建赵敬芳王林申隋妍萍
- 关键词：柔性衬底量子效率非晶硅薄膜
- 柔性衬底硅薄膜太阳电池中ZGO薄膜的应用被引量：5
- 2009年
- 在室温下,采用孪生对靶直流磁控溅射工艺,在玻璃衬底上制备出高质量的Ga掺杂ZnO(ZnO:Ga)透明导电膜。研究了薄膜厚度对薄膜的结构、光学及电学特性的影响。制备的ZnO:Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向。随着薄膜厚度的增加,衍射峰明显增强,晶粒增大。优化反应条件,薄膜的电阻率达到4.69×10-4Ω.cm,在可见光范围内平均透过率达到了85%以上。将不同厚度的ZnO:Ga薄膜(350～820 nm)在柔性聚酰亚胺衬底nip非晶硅(a-Si)薄膜太阳电池中,随厚度的增加,电池的填充因子和效率都得到了提高,得到聚酰亚胺衬底效率7.09%的a-Si薄膜太阳电池。
- 张德贤姜元建蔡宏昆薛颖陶科王林申赵敬芳隋妍萍
- 关键词：磁控溅射柔性衬底太阳电池
- 柔性衬底太阳电池陷光结构的研究
- 2009年
- 讨论了粗糙聚酰亚胺(PI)衬底和具有较高粗糙度的背反射电极对柔性衬底薄膜太阳电池的影响。选择具有天然纹路的PI作为太阳电池的衬底增加光在电池中的光程。采用热辐射加热蒸发方法显著提高铝背反射电极的粗糙度,它是常规方法制备的约4倍。粗糙PI和背反射电极形成的陷光结构使电池的短路电流提高了2mA/ cm^2,量子响应(QE)短波部分得到提高且最高点红移。经QE和原子力测试表明,电池效率提高的主要原因是粗糙的背反射电极导致面电极ZnO的形貌发生明显变化所致。
- 张德贤蔡宏琨隋妍萍陶科席强薛颖孙云
- 关键词：太阳电池柔性衬底陷光结构粗糙度
