国家高技术研究发展计划(2005AA1Z1193)
- 作品数：19 被引量：38H指数：4
- 相关作者：魏廷存高武高德远郑然魏晓敏更多>>
- 相关机构：西北工业大学西安电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划西北工业大学研究生创业种子基金西安应用材料创新基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>
- 手机用TFT-LCD驱动芯片接口电路的研究与设计被引量：3
- 2007年
- 接口电路是手机用单片集成TFT-LCD驱动芯片的重要组成部分,用于MPU与驱动芯片之间的数据通信。文章详细分析了目前占市场主导的176RGB×220分辨率、26万色的手机液晶显示驱动芯片中接口电路的功能,包括系统接口和外部高速接口的工作原理和动作时序,同时介绍了接口模式之间的转换。在此基础上提出了一种接口电路的设计方案,并且在0.18μm工艺下实现了该电路。仿真结果表明,此电路完全实现了芯片规格中要求的接口功能,可以完成18/16/9/8-bit并行接口、串行接口以及18/16/6-bit外部高速接口的可选择使用。DC综合结果显示,接口电路的面积约为4600多门,可以工作的频率达到12.5MHz。
- 崔福胜魏廷存魏晓敏李博
- 关键词：TFT-LCD驱动芯片异步电路同步电路系统接口
- SoC中的IP核同步设计方法被引量：3
- 2007年
- 基于对IP核复用的集成效率考虑,针对片上系统的设计特点构造了一种新型的IP核模型.该模型包括用于描述IP核的延迟信息的时序接口模块、多时钟域适应的再同步接口模块和IP功能描述模块.然后给出了该模型在片上系统中的集成方法.实际电路综合结果表明,和现有IP核集成相比,应用该模型进行片上系统集成,设计效率可以提高近30%,性能提高约15%.
- 史江一郝跃朱志炜潘伟涛
- 关键词：片上系统
- 中小屏幕TFT-LCD源驱动器电路设计被引量：6
- 2009年
- 针对中小屏幕TFT-LCD源驱动器电路,提出了一种新型的源驱动器结构,重点设计了一种电流可调、采用零点补偿的轨对轨结构的输出缓冲电路。该电路结构不但满足了系统功能和面积要求,而且能够很好地适应未来TFT-LCD芯片的发展趋势。Hspice仿真表明,在10kΩ电阻,20pF电容串连负载模型下的增益为90.7dB,相位裕度75°,静态电流消耗1.1μA,电路面积400μm2,满足了系统要求。
- 史刘星魏廷存樊晓桠
- 关键词：TFT-LCD轨对轨
- TFT-LCD驱动控制电路芯片研究被引量：1
- 2008年
- 研制成功一款彩屏手机用262144色132RGB×176-dot分辨率TFT-LCD单片集成驱动控制电路芯片,提出了基于低/中/高混合电压工艺、数模混合信号VLSI显示驱动芯片的设计及其验证方法,开发了SRAM访问时序冲突解决电路、二级输出驱动电路和动态负载补偿输出缓冲电路等新型电路结构,有效减小了电路的功耗和面积,抑制了回馈电压的影响,提高了液晶显示画面质量。采用0.25μm混合电压CMOS工艺实现的工程样片一次性流片成功,整个芯片的静态功耗约为5mW,输出灰度电压的安定时间小于30μs,芯片性能指标均达到设计要求。
- 魏廷存高武
- 关键词：驱动芯片
- 用于TFT-LCD驱动芯片的内置DRAM设计
- 2009年
- TFT-LCD驱动芯片中需要较大容量的内置存储器,相对于静态存储电路而言,动态存储电路节省了芯片的面积,有利于芯片成本的降低。文章讨论了用于TFT-LCD驱动芯片内置DRAM的分块设计方法,结合芯片物理特点将其分为左右对称两块。采用改进的3-T结构DRAM存储阵列,省去了伪存储单元,节省了面积,降低了功耗。优化了DRAM的刷新电路,省略了判断信号与RAS和CAS先后顺序的仲裁电路。结合芯片本身的特点设计了行、列译码电路。对于芯片的仿真,采用了模拟验证和形式验证相结合的前端设计验证方法,同时又采用了结构化抽取寄生参数和建立关键路径的后仿真。
- 张斌张盛兵梁茂
- 关键词：TFTDRAM仿真
- 大屏幕TFT-LCD显示用Timing Controller的存储器测试
- 2008年
- 基于March算法的存储器内建自测试电路能够获得很高的故障覆盖率,但在测试小规模的存储器时暴露出了面积相对比较大的缺点。针对大屏幕Timing Controller芯片"龙腾TC1"中4块640×18 bit SRAM"按地址递增顺序连续进行写操作"的工作特点,提出了一种新的存储器内建自测试方法。该方法按照地址递增顺序向存储器施加测试矢量,避免了直接采用March C算法所带来的冗余测试,简化了内建自测试电路,大大减少了由管子的数量和布线带来的面积开销,可达到March C+算法相同的"测试效果"。
- 杨君体魏廷存魏晓敏李博
- 关键词：存储器内建自测试MARCH
- TFT-LCD驱动芯片内置电荷泵的优化被引量：6
- 2007年
- 根据手机用TFT-LCD的显示和驱动要求,优化设计了一种用于TFT-LCD驱动IC的内置电荷泵升压电路。使用0.25μm CMOS高压工艺的HSPICE仿真结果表明,与传统的电荷泵电路相比,优化后的电荷电压稳定速度提高将近一倍,升压效率和功率效率分别提高4%和5%,全部输出电压上升到稳定值的时间小于60 ms,满足设计要求。该新型升压电路采用3个时钟控制开关动作,共用升压电容,减少了外接升压电容的数目,另外能够同时产生正倍压和负倍压。
- 吕丽峰魏廷存高武
- 关键词：TFT-LCD驱动IC电荷泵
- 应用于PWM降压DC-DC变换器的高性能误差放大器被引量：3
- 2010年
- 提出了一种应用于PWM降压型DC-DC变换器的高性能误差放大器。该误差放大器采用反馈结构,具有较大的动态范围,并可消除噪声影响,从而显著减小了DC-DC电源的纹波电压。另外,采用该误差放大器还有效地减小了电源启动时间。文中提出的误差放大器电路及PWM控制芯片的其他电路模块采用2.0μmBipolar工艺实现。仿真结果表明,误差放大器的开环和闭环增益分别为61dB和33dB,GBW为200MHz,SR为0.64V/μs。芯片测试结果表明,在输出电压为3.3V,负载电流为0.2A时,输出纹波电压的峰-峰值小于25mV。
- 王佳魏廷存郑然高武高德远
- 关键词：误差放大器电压纹波动态范围
- TFT-LCD驱动芯片的二级驱动电路(英文)被引量：2
- 2007年
- 针对单芯片集成的TFT-LCD驱动芯片的特性,提出了在γ校正电路中加入两级驱动Buffer的驱动电路结构,以及提高其驱动能力的有效措施.对于具有13个驱动buffer的二级驱动电路,当由一个灰度电压驱动全部396个像素单元时,驱动电压的最大安定时间约为19.2μs;静态消耗电流为518μA,与传统的64个驱动buffer电路相比,其功耗减小了77%.本文的设计结果已成功应用于132RGB×176分辨率、26万色彩色显示手机用TFT-LCD驱动芯片中,其也可用于PDA、数码相机等其他便携电子设备的显示驱动.
- 高武魏廷存高德远
- 关键词：TFT-LCD驱动电路Γ校正
- 温度系数可调的基准电压产生电路研究与设计被引量：5
- 2006年
- 由于TFT～LCD显示屏的物理特性随温度而发生变化，驱动电路必须提供具有相同温度特性的驱动电压，以补偿显示屏的温度特性，进而提高显示画质。文章研究并设计了一种用于TFT—LCD彩屏手机驱动芯片的基准电压产生电路，其输出电压的绝对值与温度系数可编程调节，从而可实现与液晶显示屏的温度特性相匹配。介绍了该电路的各子模块电路，包括偏置电路、带隙基准电路和输出电压调节电路，详细分析了带隙基准电路所产生的基准电压的温度系数及其调节原理。用Hspice对采用0．25μmCMOS工艺设计的电路进行了仿真。仿真结果表明，基准电压的温度系数可从-1.24～1．13mV／℃变化，输出电压的绝对值可从1．8～2.1V调节，最大可提供负载电流40mA。
- 习江艳魏廷存
- 关键词：带隙基准电压调节
