国防科技技术预先研究基金(41312040307)
- 作品数：7 被引量：52H指数：4
- 相关作者：冯坚张长瑞王娟杨大祥李明月更多>>
- 相关机构：国防科学技术大学中国电子科技集团第十三研究所更多>>
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- 相关领域：一般工业技术理学更多>>
- SiO_2气凝胶薄膜的性能、应用与制备方法被引量：5
- 2004年
- SiO_2气凝胶薄膜是一种纳米轻质材料,具有高孔隙率、低密度、低热导率、低声传播速度、低介电常数、高比表面积、透明等优异性能,在热学、光学、声学、微电子、航空航天、化学化工等领域具有广阔的应用前景。介绍了SiO_2气凝胶薄膜的性能与应用,并对其制备方法进行了综述和评价。
- 王娟张长瑞冯坚
- 关键词：二氧化硅纳米材料孔隙率热导率介电常数
- 低介电常数纳米多孔二氧化硅薄膜的制备
- 2004年
- 以正硅酸乙酯为原料,采用溶胶-凝胶法、旋转涂胶和超临界干燥工艺在硅片上制备了纳米多孔SiO2薄膜.用近线性生长模型和分形生长模型研究了SiO2溶胶的粘度-时间曲线,确定了SiO2溶胶的结构演变过程.适合旋转涂胶的SiO2溶胶的粘度为9 mPa·s～15 mPa·s;旋转涂胶时SiO2溶胶的粒子尺寸与其浓度密切相关.该SiO2薄膜具有三维网络结构,表面均匀平整,SiO2微粒直径为10nm～20 nm.SiO2薄膜的厚度为400nm～1 000nm;折射率为1.09～1.24;介电常数为1.5～2.5.
- 王娟张长瑞冯坚
- 关键词：纳米多孔二氧化硅薄膜溶胶-凝胶低介电常数粘度
- 纳米多孔二氧化硅薄膜的制备与表征被引量：8
- 2005年
- 以正硅酸乙酯为原料,采用酸/碱两步溶胶-凝胶法、结合匀胶和超临界干燥等工艺在硅片上成功制备了纳米多孔二氧化硅薄膜.适合匀胶的二氧化硅溶胶的粘度范围为9～15mPa·s;多孔二氧化硅薄膜表面均匀平整,其厚度为400～1000nm;折射率为1.09～1.24;介电常数为1.5～2.5.该多孔二氧化硅薄膜具有三维网络结构,二氧化硅微粒直径为10～20nm.
- 王娟冯坚杨大祥张长瑞
- 关键词：纳米多孔二氧化硅薄膜溶胶-凝胶乙酯低介电常数
- 聚乙二醇对纳米多孔二氧化硅薄膜性能的影响被引量：17
- 2005年
- 以聚乙二醇(PEG)为添加剂,正硅酸乙酯(TEOS)为先驱体,采用溶胶-凝胶法、结合 旋转涂胶和超临界干燥等工艺在硅片上制备了纳米多孔SiO2薄膜.利用FTIR、TG-DTA、 AFM和椭偏仪研究了该SiO2薄膜的性能.与未加.PEG的SiO2薄膜相比,加入PEG得到 的SiO2薄膜表面粗糙度增大,但孔隙率较高,介电常数可降至2.0以下.PEG参与并修饰了 TEOS的溶胶-凝胶过程.加入PEG制备的SiO2薄膜因含有Si-OH基团而呈亲水性,该薄 膜经三甲基氯硅烷(TMCS)修饰后为疏水性.
- 王娟张长瑞冯坚
- 关键词：纳米多孔二氧化硅薄膜溶胶-凝胶聚乙二醇低介电常数
- 低介电常数纳米多孔二氧化硅薄膜的制备研究
- 以正硅酸乙酯为原料,采用酸/碱两步溶胶-凝胶法、结合匀胶和超临界干燥等工艺在硅片上成功制备了纳米多孔二氧化硅薄膜。SiO2溶胶的粘度随时间而增大;用近线性生长模型和分形生长模型分析了SiO2溶胶的粘度一时间曲线,确定了S...
- 王娟张长瑞冯坚
- 关键词：纳米多孔二氧化硅薄膜溶胶-凝胶低介电常数
- 文献传递
- 三甲基氯硅烷对纳米多孔二氧化硅薄膜的修饰被引量：21
- 2004年
- 以正硅酸乙酯为先驱体,采用溶胶-凝胶法,结合旋转涂胶、超临界干燥工艺在硅片上制备了纳米多孔SiO2薄膜.用三甲基氯硅烷(TMCS)对该SiO2薄膜进行了表面修饰,采用FTIR、TG-DTA、AFM和椭偏仪等方法研究了TMCS修饰前后薄膜的结构、形貌、厚度与介电常数等性能.超临界干燥后的SiO2薄膜含有Si-O-Si与Si-OR结构,呈疏水性.在空气中250℃以上热处理后SiO2薄膜因含有Si-OH而呈吸水性.TMCS修饰后的SiO2薄膜在温度不高于450℃时可保持其疏水性和多孔结构.SiO2薄膜经TMCS修饰后基本粒子和孔隙尺寸增大,孔隙率提高,介电常数可降低至2.5以下.
- 王娟张长瑞冯坚
- 关键词：溶胶-凝胶三甲基氯硅烷
- 疏水型纳米多孔SiO_2薄膜的制备与性能表征被引量：1
- 2008年
- 采用TMCS对超临界干燥后的纳米多孔SiO2薄膜进行疏水处理,利用FTIR、SEM、椭偏仪和LCR测量仪等对薄膜的性能进行表征。研究表明:TMCS修饰后薄膜呈疏水性;薄膜的厚度有所降低,但孔隙率无明显变化;薄膜的实测介电常数值接近理论计算值,为2.0～2.3,且随时间无显著增大。
- 高庆福冯坚李明月张长瑞王小东冯军宗
- 关键词：低介电常数
- 纳米多孔薄膜孔结构的非破坏性表征被引量：1
- 2005年
- 对纳米多孔低介电常数薄膜孔洞率、孔径、孔径分布和孔洞连通性等孔结构的表征有助于理解薄膜的结构和提高其性能。近年来开展了利用与特殊X射线反射联用的小角中子散射、小角X 射线散射、椭偏测孔仪、正电子湮没谱和表面声波谱等非破坏性方法表征多孔低介电常数薄膜孔结构的研究。介绍了这些方法的基本原理,综述了利用这些方法研究低介电常数介质薄膜及其集成工艺的进展,总结了这些方法表征多孔薄膜孔结构的特征。
- 王娟张长瑞冯坚
- 关键词：纳米多孔薄膜
