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天津市高等学校科技发展基金计划项目(20030521)

作品数：2 被引量：5H指数：2
相关作者：陈希明于春花李化鹏徐晟杨保和更多>>
相关机构：天津理工大学更多>>
发文基金：天津市自然科学基金天津市高等学校科技发展基金计划项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇多层膜
  • 1篇多层膜结构
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控反应...
  • 1篇射频功率
  • 1篇声表面波
  • 1篇声表面波器件
  • 1篇金刚石
  • 1篇金刚石薄膜
  • 1篇溅射
  • 1篇反应溅射
  • 1篇刚石
  • 1篇ALN薄膜
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控反应溅射

机构

  • 2篇天津理工大学

作者

  • 2篇陈希明
  • 1篇李化鹏
  • 1篇杨晓苹
  • 1篇杨保和
  • 1篇徐晟
  • 1篇于春花

传媒

  • 2篇天津理工大学...

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2006
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
金刚石声表面波器件的研制被引量：2
2006年
对ZnO/IDT/金刚石多层结构高频声表面波滤波器进行模拟设计、样件制备和测量.利用热丝化学气相沉积方法,在抛光S i基底沉积致密、光滑的CVD金刚石膜;采用磁控溅射法在金刚石薄膜上制备C轴取向的氧化锌压电薄膜.研制的ZnO/IDT/金刚石/硅结构SAW滤波器,叉指换能器(IDT)指宽1.7μm,SAW滤波器频率达到1.4 GHz.
徐晟陈希明杨晓苹杨保和
关键词：声表面波多层膜结构金刚石薄膜
射频功率对射频磁控反应溅射制备AlN薄膜的影响被引量：3
2007年
采用射频磁控溅射法在Si(100)衬底上制备了AlN薄膜,通过控制工艺参数可以沉积出不同择优取向的AlN薄膜,各工艺参数中射频功率对其择优取向的影响最大.XRD表征了AlN薄膜的结构,进而选择出最优射频功率.
于春花陈希明李化鹏
关键词：ALN薄膜
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共1页<1>
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