安徽省教育厅科学研究项目(2005KJ224)
- 作品数：11 被引量：38H指数：4
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- 相关领域：电子电信化学工程理学更多>>
- 不同烧结工艺对TiO_2基压敏陶瓷电性能的影响被引量：4
- 2005年
- 分别采取四种不同的工艺过程,按照配方TiO2+0.3mol%(SrCO3+Bi2O3+SiO2)+0.075mol%Ta2O5制备四种试样。通过压敏电压、非线性系数、复阻抗特性、伏安特性、势垒高度、介电频率特性和损耗频率特性的测定,研究了一次烧成、粉料预烧及预烧方式对TiO2基压敏陶瓷电性能的不同影响。结果表明,采取一次烧成工艺制备的试样具有压敏电压较低(E10mA=7.9V·mm-1)、介电常数较大(εra=5.88×104)等特性,并从理论上对此作出一定的分析。
- 孟凡明
- 关键词：压敏电压介电常数半导化损耗
- 粉料埋烧的TiO_2瓷压敏和介电性质被引量：4
- 2006年
- 基于一次烧结工艺,采用埋烧和裸烧两种方法制备组分相同的(Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2陶瓷。通过I-V特性、非线性系数、介电常数的测量,研究埋烧与裸烧工艺对TiO2陶瓷的电性能的影响。结果表明,采取粉料埋烧可以明显降低压敏电压、提高介电常数。
- 孟凡明
- 关键词：TIO2压敏电压介电常数
- SrTiO_3压敏材料研究进展被引量：8
- 2006年
- SrTiO_3压敏材料的非线性伏安特性和介电性能优良,具有吸收高频噪声、前沿快速上升噪声及自复位等功能,在吸收电感性负载开关浪涌电压、保护双向可控硅开关器件、旁路电容器、微电机等方面应用广泛。本文综述了SrTiO_3压敏材料的导电机理、添加剂以及制备工艺等方面的研究现状,并对其进行了展望。
- 孟凡明孙兆奇
- 关键词：导电机理添加剂
- Ta_2O_5对TiO_2基压敏陶瓷半导化的影响被引量：4
- 2005年
- 研究T a2O5对(S r,B i,S i,T a)掺杂的T iO2基压敏陶瓷半导化的影响,发现随着T a2O5增加,晶粒电阻呈现“U”字型变化规律,按照配方T iO2+0.3%(S rCO3+B i2O3+S iO2)+0.1%T a2O5(摩尔分数)配制的样品的晶粒电阻最小,这表明适当增加施主T a2O5的含量有助于材料晶粒的半导化。
- 孟凡明
- 关键词：压敏电压电容量半导化
- TiO2电容-压敏陶瓷掺杂研究进展
- TiO2电容一压敏陶瓷非线性伏安特性和介电性能优良,具有吸收高频噪声和过电压保护的功能。本文综述了TiO2电容-压敏陶瓷性能以及施主杂质、受主杂质、烧结助剂的研究现状,并对其进行了展望。
- 孟凡明孙兆奇
- 关键词：压敏电压介电常数烧结助剂
- 文献传递
- 粉料埋烧的TiO_2瓷半导化和电学非线性研究被引量：7
- 2005年
- 基于一次烧结工艺,采用埋烧和裸烧两种方法制备组分相同(Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2陶瓷。通过复阻抗特性、晶粒电阻、晶界电阻、压敏电压、非线性系数及势垒高度的测定,研究埋烧与裸烧工艺对TiO2陶瓷的半导化以及电学非线性特性的影响。结果表明,采取粉料埋烧有利于晶粒半导化,降低压敏电压。
- 孟凡明
- 关键词：TIO2压敏陶瓷压敏电压半导化势垒高度
- 环形压敏电阻器及其研发现状被引量：1
- 2006年
- 介绍了环形压敏电阻器的形体结构,电极形状,导电模式及其消噪原理;分析了环形压敏电阻器的应用及研发现状;比较了各种环形压敏电阻器的优劣。正处于研究阶段的TiO2系环形压敏电阻器有望弥补SrTiO3系环形压敏电阻器和ZnO系压敏电阻器存在的不足之处。
- 孟凡明
- 关键词：电子技术环形压敏电阻器微电机压敏电压电容量
- 二氧化钛压敏电阻势垒高度的测定
- 2006年
- 按配方TiO2+0.3%(SrCO3+Bi2O3+SiO2)+0.075%Ta2O5,以典型的陶瓷工艺制备样品。通过I-T和I-V测量,将压敏电阻视为双向导通的二极管,应用半导体理论对低压下的I-V数据进行处理,测定了TiO2-SrCO3-Bi2O3-SiO2-Ta2O5压敏陶瓷的势垒高度?b为0.43eV。
- 孟凡明
- 关键词：材料检测与分析技术二氧化钛压敏陶瓷势垒高度
- ZnO压敏材料研究进展被引量：15
- 2006年
- 氧化锌压敏电阻器具有优良的非线性伏安特性,在稳态工作电压下漏电流很小(能耗低).利用这些特性可制造各种电子器件的过电压保护、电子设备的雷击浪涌保护、负载开关的浪涌吸收等电子保护装置.综述了ZnO压敏材料的导电机理、老化、非线性功能添加剂以及制备工艺等方面的研究进展,指出ZnO压敏电阻器的发展方向为片式叠层化、低压化以及对导电机理的深入研究.
- 孟凡明孙兆奇
- 关键词：导电机理
- TiO_2压敏陶瓷势垒高度的测定被引量：1
- 2006年
- 基于典型的陶瓷工艺制备试样。压敏陶瓷可视为双向导通的二极管,将适用于齐纳二极管的半导体理论应用于TiO2-SrCO3-Bi2O3-SiO2-Ta2O5压敏陶瓷。测量了低压下的电流-电压(I-V)特性,根据lnJs与E1/2关系曲线的拟合直线的的截距得出了TiO2-SrCO3-Bi2O3-SiO2-Ta2O5压敏陶瓷的势垒高度。
- 孟凡明
- 关键词：压敏陶瓷势垒高度
