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教育部“新世纪优秀人才支持计划”(NCET-11-0615)
作品数:
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相关作者:
刘益春
刘春阳
徐海阳
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相关机构:
东北师范大学
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发文基金:
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教育部“新世纪优秀人才支持计划”
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ZnO基异质结紫外光发射器件研究进展
2014年
宽禁带半导体ZnO具有高达60 meV的激子束缚能,是一种极具潜力的短波长发光材料.在其p型掺杂存在巨大挑战的现状下,发展ZnO基异质结光发射器件不失为一种理想的选择.本文围绕p-n结型和MIS结型(金属-绝缘体-半导体)两类异质结构,介绍了ZnO紫外发光二极管(LED)和激光二极管(LD)的研究进展.针对ZnO异质结LED/LD存在的问题(如:发光效率低、稳定性差),重点介绍了通过引入ZnO单晶纳米线和金属局域表面等离激元,以及采用表面钝化等方法,改善器件性能方面的研究工作.
刘益春
徐海阳
刘春阳
刘为振
关键词:
ZNO
异质结
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