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未掺杂SI-InP中缺陷的正电子寿命研究被引量：2: 2000年; 在 10～ 30 0 K的温度范围内 ,测量了用液封直拉法 (L EC)生长的 n- In P经高温退火后形成的未掺杂SI- In P晶体的正电子寿命谱 .用 PATFIT和 MEL T两种技术分析了正电子寿命谱 .常温下的结果表明 ,SI- In P中存在铟空位 VIn或与杂质的复合体缺陷 .观察到在 10～ 2 2 0 K之间正电子的平均寿命 τm 随温度的升高而减小 ,表明上述缺陷是带负电荷的铟空位 VIn的氢复合体 ;但是在低温下还存在正电子浅捕获态 ,浅捕获中心很可能是反位缺陷 In2 - P ,因此在 2 2 0～ 30 0 K范围内平均寿命τm 随温度的升高而略有上升 .; 毛卫东王少阶王柱孙聂枫孙同年赵有文; 关键词：正电子寿命化合物半导体

用正电子研究Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的缺陷谱被引量：9: 2000年; 简要介绍了本科研组近年来用正电子湮没谱学研究Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体缺陷的最新进展，包括原生样品中缺陷的种类、大小、电荷态、负离子缺陷、缺陷与杂质的相互作用、辐照以及形变引入的缺陷等．研究表明，在原生半导体材料中存在各种缺陷，经过辐照和形变后有单空位、双空位及孔洞形成；在重掺杂材料中，空位还补偿载流子，使载流子发生饱和．; 王少阶陈志权王柱; 关键词：正电子湮没化合物半导体

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国家自然科学基金(69576020)