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国家自然科学基金(69576020)
作品数:
2
被引量:11
H指数:2
相关作者:
王少阶
王柱
陈志权
毛卫东
孙同年
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相关机构:
武汉大学
河北半导体研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
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机构
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武汉大学
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作者
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王柱
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王少阶
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孙聂枫
1篇
孙同年
1篇
陈志权
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毛卫东
传媒
2篇
武汉大学学报...
年份
2篇
2000
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未掺杂SI-InP中缺陷的正电子寿命研究
被引量:2
2000年
在 10~ 30 0 K的温度范围内 ,测量了用液封直拉法 (L EC)生长的 n- In P经高温退火后形成的未掺杂SI- In P晶体的正电子寿命谱 .用 PATFIT和 MEL T两种技术分析了正电子寿命谱 .常温下的结果表明 ,SI- In P中存在铟空位 VIn或与杂质的复合体缺陷 .观察到在 10~ 2 2 0 K之间正电子的平均寿命 τm 随温度的升高而减小 ,表明上述缺陷是带负电荷的铟空位 VIn的氢复合体 ;但是在低温下还存在正电子浅捕获态 ,浅捕获中心很可能是反位缺陷 In2 - P ,因此在 2 2 0~ 30 0 K范围内平均寿命τm 随温度的升高而略有上升 .
毛卫东
王少阶
王柱
孙聂枫
孙同年
赵有文
关键词:
正电子寿命
化合物半导体
用正电子研究Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的缺陷谱
被引量:9
2000年
简要介绍了本科研组近年来用正电子湮没谱学研究Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体缺陷的最新进展,包括原生样品中缺陷的种类、大小、电荷态、负离子缺陷、缺陷与杂质的相互作用、辐照以及形变引入的缺陷等.研究表明,在原生半导体材料中存在各种缺陷,经过辐照和形变后有单空位、双空位及孔洞形成;在重掺杂材料中,空位还补偿载流子,使载流子发生饱和.
王少阶
陈志权
王柱
关键词:
正电子湮没
化合物半导体
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