国家科技重大专项(2012ZX03004007-002)
- 作品数：2 被引量：4H指数：2
- 相关作者：张胜广冯鹏吴南健赵柏秦刘肃更多>>
- 相关机构：中国科学院兰州大学更多>>
- 发文基金：国家科技支撑计划国家高技术研究发展计划国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- RFID中非易失存储单元及灵敏放大电路的设计被引量：2
- 2013年
- 针对无源超高频射频识别标签芯片的应用需求设计了一种非易失性存储单元及其灵敏放大电路。该存储单元包括了两个浮栅节点并利用隧道效应(FN)隧穿机制来实现电子向浮栅的注入和擦除,因此其具有较低的编程功耗和较高的数据存储可靠性。为了减小存储单元的面积并进一步降低编程功耗,还采用了厚度仅为4 nm的栅氧作为隧穿结。此外,还设计了一种适合于该存储单元的灵敏放大电路,不仅可以读取存储数据,还可配合存储单元进行数据的擦写操作,从而简化存储单元的设计。基于0.18μm单多晶硅标准CMOS工艺实现了该存储单元及其灵敏放大电路,其单元面积仅为108μm2,经测试表明该存储单元可配合灵敏放大电路实现数据的正确读写,编程电压约为6 V,在擦写次数达到10 000次后,仍具有1.5 V的阈值窗口。
- 贾晓云冯鹏张胜广吴南健刘肃
- 关键词：非易失性
- 面向无源超高频标签的低成本非易失存储器被引量：2
- 2014年
- 面向无源超高频射频识别标签芯片设计了一种低成本的非易失存储器(NVM)。采用PMOS晶体管实现存储单元,制造工艺与标准CMOS工艺兼容,可以降低制造成本。提出了一种新型的操作模式,可减轻写操作对栅氧的破坏。存储器中的所有存储单元共享一个灵敏放大器,数据通过共享的灵敏放大器依次串行读出,这样既节省了面积,又降低了读操作的功耗。基于0.18μm标准CMOS工艺设计实现了存储容量为1 kbit的存储器芯片,该存储器的核心面积为0.095 mm2,并完成了实测。实测结果表明,电源电压为1.2 V,读速率为1 Mb/s时,功耗为1.08μW;写速率为3.2 kb/s时,功耗为44μW。
- 谷永胜冯鹏张胜广吴南健赵柏秦
- 关键词：标准CMOS工艺
