西安应用材料创新基金(XA-AM-200613)
- 作品数：2 被引量：3H指数：1
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- 相关机构：中国科学院中国科学院研究生院长安大学更多>>
- 发文基金：西安应用材料创新基金国家高技术研究发展计划中国科学院西部之光基金更多>>
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- GaAs光导开关飞秒激光点触发实验及分析被引量：1
- 2008年
- 针对光导开关阵列和光纤分束耦合的实际应用环境,提出一种新的实验方案,用于测试当触发光源相对于开关光敏面为点光源时入射位置对输出脉冲的影响.实验证明,不同的入射位置对开关输出脉冲有很大的影响.在入射光从负极向正极扫描过程中输出脉冲逐渐增强,在正极附近输出达到峰值,但在电极边缘处有所减弱.分析表明,这一现象和开关体内电场的分布有密切联系.
- 景争汪韬阮驰杨宏春王警卫吴雷学
- 关键词：光导开关GAAS
- 低压MOCVD生长参量对Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料表面形貌的影响被引量：2
- 2009年
- 采用自制低压金属有机源化学气相沉积设备,在(100)面GaSb单晶衬底上生长了Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料.利用双晶X射线衍射、光学显微镜、原子力显微镜和光致发光谱等分析手段对材料特性进行了表征,获得了表面光亮的晶体质量较好的Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料,在77K下得到光致发光谱峰值波长为3.25μm.研究了生长温度、过渡层、界面层对其表面形貌的影响,得出生长温度在500℃～520℃,无过渡层,使用InAsSb界面层有利于改善材料的表面形貌.
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- 关键词：超晶格界面层表面形貌
