西安应用材料创新基金(XA-AM-200616)
- 作品数：4 被引量：12H指数：3
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- 基于I-V-T和C-V-T的GaN上Ni/Au肖特基接触特性研究被引量：2
- 2007年
- 基于对制作在n-GaN上的肖特基二极管的变温I-V测试和C-V测试,采用表面势垒减薄模型对肖特基二极管的电流输运特性进行了研究.试验结果表明,肖特基接触的电流输运机理非常复杂,在不同的温度条件和偏压条件下有着不同的电流输运机理.在此基础上对肖特基接触I-V特性方程进行了修正,得到了很好的拟合曲线.试验表明,高温I-V法提取的势垒高度与常温C-V法提取的势垒高度接近于根据金属功函数得出的理论势垒高度值.
- 刘杰郝跃冯倩王冲张进城郭亮良
- 关键词：氮化镓肖特基二极管
- Al2O3绝缘层的AlGaN/GaN MOSHEMT器件研究被引量：5
- 2008年
- 在研制AlGaN/GaNHEMT器件的基础上,采用ALD法制备了Al2O3AlGaN/GaNMOSHEMT器件.通过X射线光电子能谱测试表明在AlGaN/GaN异质结材料上成功淀积了Al2O3薄膜.根据对HEMT和MOSHEMT器件肖特基电容、器件输出以及转移特性的测试进行分析发现:所制备的Al2O3薄膜与AlGaN外延层间界面态密度较小,因而MOSHEMT器件呈现出较好的栅控性能;其次,该器件的栅压可以加至+3V,此时的最大饱和电流达到800mA/mm,远远高于肖特基栅HEMT器件的最大输出电流;而且栅漏反偏状态下的泄漏电流却减小了两个数量级,提高了器件的击穿电压,通过进一步分析认为泄漏电流主要来源于Fowler-Nordheim隧穿.
- 冯倩郝跃岳远征
- 关键词：AL2O3泄漏电流高电子迁移率晶体管ALGAN/GAN异质结原子层淀积
- 高击穿电压的AlGaN/GaN FP-HEMT研究与分析被引量：3
- 2007年
- 就蓝宝石衬底上制备的AlGaN/GaN场板(field plate)HEMT器件、常规HEMT器件性能进行了分析对比.结果证明两种结构的器件直流参数变化不大,但是采用场板后器件的击穿电压从52V提高到了142V.在此基础上利用Sivaco软件对两种器件进行模拟仿真,深入分析了FP对器件击穿电压的影响.
- 郭亮良冯倩郝跃杨燕
- 关键词：ALGAN/GANHEMT场板击穿电压
- GaN FP-HEMTs中击穿电压与电流崩塌的关系被引量：3
- 2007年
- 研究了钝化在抑制电流崩塌的同时,会引起HEMT器件击穿电压的下降.而采用场板结构的AlGaN/GaN场板HEMT器件(FP-HEMT)的击穿电压从46V提高到了148V,表明了场板对提高击穿电压有显著作用(3倍以上).接着,比较了FP-HEMT器件与常规HEMT器件,钝化后HEMT器件在应力前后的电流崩塌程度,得出了采用场板结构比之钝化对器件抑制电流崩塌有更明显作用的结论.从理论上和实验上都表明,采用场板结构能够很好解决提高击穿电压与抑制电流崩塌之间的矛盾.
- 郭亮良冯倩马香柏郝跃刘杰
- 关键词：GAN场板击穿电压电流崩塌
