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悬浮熔炼制备Half-Heusler合金Zr_(1-x)Ti_xNiSn_(0.975)Sb_(0.025)及其热电性能被引量：1: 2009年; 采用悬浮熔炼法合成了Zr1-xTixNiSn0.975Sb0.025(x=0,0.15,0.25,0.5)基Half-Heusler热电材料,X射线衍射结果表明所制备合金为单相。相对于常规方法,悬浮熔炼显著缩短了制备Half-Heusler合金的时间。同时研究了Ti取代及不同热压条件对材料热电性能的影响。结果表明:ZrNiSn0.975Sb0.025合金进行A位取代可降低材料的热导率,而不会明显影响其热电性能。致密度可以影响材料的热电性能,适当的热压条件可以使合金的ZT值达到最大,约为0.45。; 姜广宇徐绩赵波蔚翠朱铁军赵新兵; 关键词：热电材料悬浮熔炼热电性能

Sb掺杂对Mg_2Si基化合物热电性能的影响(英文)被引量：6: 2009年; 采用感应熔炼和真空热压的方法制备了Sb掺杂和未掺杂的Mg2Si基热电材料。研究了Sb掺杂对Mg2Si基热电材料的结构以及热电特性的影响。结果表明:通过Sb掺杂使得载流子浓度从3.07×1019cm-3增加到1.25×1020cm-3,电子有效质量也相应增加。测试了从室温到800K下试样的Seebeck系数,电导率和热导率。结果显示,0.3at%Sb掺杂使得电导率得到显著增加,在783K时,ZT值达到0.7。; 张倩赵新兵殷浩朱铁军; 关键词：热电金属间化合物掺杂

Solvothermal synthesis and thermoelectric properties of skutterudite compound Fe_(0.25)Ni_(0.25)Co_(0.5)Sb_3被引量：1: 2009年; MI Jianli ZHAO Xinbing ZHU Tiejun; 关键词：SKUTTERUDITE NANOMATERIALS

快速凝固法制备(Ge1-ySnyTe)x(AgSbTe2)100-x化合物热电材料的电学性能: 利用快速凝固方法制备了(GeTe)(AgSbTe) (x=80,85,90)和(GeSnTe)(AgSbTe)(y=0．05,0．1,0．2, 0．4)系列 TAGS 热电化合物。所得材料晶体结构属于菱形晶系,晶格常数随...; 杨胜辉朱铁军赵新兵; 关键词：热电材料快速凝固法电学性能; 文献传递

放电等离子烧结制备的Bi2Te3/Sb2Te3复合材料的热电性能: 研究了用低温湿化学法和水热法制备纳米级的 BiTe和 SbTe颗粒,并通过透射电镜观察其微观形貌, BiTe粉末的微观形貌为直径在30～50nm 之间的片状小颗粒,而 SbTe颗粒的微观形貌为薄带状,直径约为 70nm,...; 曹一琦朱铁军赵新兵; 关键词：水热法热电性能; 文献传递

La掺杂n型Mg_2Si基半导体的热电性能研究被引量：5: 2008年; 采用感应熔炼然后热压的方法制备了La掺杂Mg2Si基热电材料Mg2-xLaxSi(x=0、0.002、0.005、0.010、0.015)。La在Mg2Si中占Mg位,当x≥0.005时,出现第二相LaMg。性能测试表明,Mg2-xLaxSi的导电类型为n型,Seebeck系数的绝对值随La含量的增多而减小,电导率和热导率均随La含量的增多而增大,在测试温度范围内,Mg1.995La0.005Si具有最高的ZT值,在774K温度下达到0.42。; 张倩朱铁军殷浩赵新兵; 关键词：热电材料 MG2SI 掺杂

退火时间对铕填充式方钴矿化合物热电性能的影响被引量：3: 2009年; 采用熔融法结合放电等离子烧结技术制备了Eu填充式方钴矿化合物EuyCo4Sb12,研究了退火时间对Eu填充量及化合物热电性能的影响。采用X射线衍射和电子探针表征了化合物的相组成及成分。在300～850K,测试了化合物的电导率、热导率和Seebeck系数,结果表明:随着退火时间的延长,Eu在Co4Sb12中的填充量增加,电导率增加,晶格热导率降低,Seebeck系数降低;当退火时间为96h时,Eu填充量达到0.43,与名义组分相同经168h退火所得化合物的Eu填充量相近。; 万俊霞赵雪盈李小亚季诚昌陈立东; 关键词：铕方钴矿热电性能退火时间

快速凝固法制备ZrNiSn基Half-Heusler热电材料的微结构被引量：2: 2010年; 通过悬浮熔炼的方法制备了half-Heusler热电材料Zr(Hf)NiSn(Sb)合金,并进一步通过快速凝固来细化晶粒,通过放电等离子烧结制备块材并测试其热电性能.X射线衍射分析表明获得了单相Half-Heusler化合物.扫描电子显微观察发现,快速凝固后的样品晶粒尺寸在500nm左右,放电等离子烧结后晶粒尺寸并未明显长大.同时观察到在晶粒的表面还分布了很多几十纳米尺寸的小晶粒.快速凝固的样品与熔炼样品相比具有较高的电导率及载流子浓度,据此推断在快速凝固过程中产生的纳米晶粒应为金属相.快速凝固后的样品晶界散射增多,因而具有较低的晶格热导率.; 蔚翠朱铁军肖凯金吉沈俊杰杨胜辉赵新兵; 关键词：ZRNISN 快速凝固晶粒尺寸微结构

Ag_2Te掺杂对p型Bi_(0.5)Sb_(1.5)Te_3块状合金热电性能的影响被引量：2: 2010年; 采用真空熔炼、机械球磨及放电等离子烧结技术（SPS）制备得到了（Ag2Te）x（Bi0.5Sb1.5Te3）1-x（x=0,0.025,0.05,0.1）系列样品,性能测试表明,Ag2Te的掺入可以显著改变材料的热电性能变化趋势,掺杂样品在温度为450-550K范围内具有较未掺杂样品更优的热电性能.适当量的Ag2Te掺入能够有效地提高材料的声子散射,降低材料的热导率.在测试温度范围内,（Ag2Te）0.05（Bi0.5Sb1.5Te3）0.95具有最低的晶格热导,室温至575K范围内保持在0.2-0.3W/（m·K）之间,在575K时,（Ag2Te）0.05（Bi0.5Sb1.5Te3）0.95试样具有最大热电优值ZT=0.84,相较于未掺杂样品提高了约20%.; 沈俊杰朱铁军蔚翠杨胜辉赵新兵; 关键词：晶格热导率热电材料

Thermoelectric properties of quaternary Mg_2Sn_(0.4)Si_(0.6-x)Ge_x alloys: 2009年; Quaternary alloys Mg2Sn0.4Si0.6-xGex （x=0, 0.02, 0.05, 0.08 0.1, and 0.2） were prepared using induction melting followed by hot-pressing. Relative densities of the sintered samples were over 97% of the theoretical values. Multiple phases were detected in the samples. It was found that the Seebeck coefficient was sensitive to the content of Mg2Ge and a maximum value of about 350 μV-K^-1 was obtained. The introduction of Ge increases the electrical conductivity and the thermal conductivity simultaneously. The mechanism of this phenomenon was discussed. A maximum dimensionless figure of merit, ZT, of about 0.28 was obtained for Mg2Sn0.4Si0.55Ge0.05 at 550 K.; Hao Yin Xin-Bing Zhao Qian Zhang Tie-Jun Zhu; 关键词：HOT-PRESSING

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