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中央高校基本科研业务费专项资金(2011ZM0027)
作品数:
1
被引量:5
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相关作者:
杨任花
许佳雄
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韩静
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相关机构:
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中央高校基本科研业务费专项资金
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2011
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退火温度对ZnO薄膜晶体管电特性的影响
被引量:5
2011年
针对非晶硅和有机薄膜晶体管的低迁移率问题,以高纯Zn为靶材,反应磁控溅射沉积、且在不同温度下退火的ZnO薄膜作为半导体活性层,成功地制备出基于ZnO材料的薄膜晶体管(ZnO-TFT),研究了退火温度对ZnO-TFT电特性的影响.结果表明:ZnO-TFT的载流子迁移率随退火温度的升高而明显增大,700℃退火的样品迁移率为8.00cm2/(V.s),阈值电压随退火温度的升高而明显减小,在较高温度下退火处理制备的ZnO-TFT呈现出较低的关态电流.结合X射线衍射谱、原子力显微镜和X射线光电子能谱对ZnO薄膜的微结构及组分的分析,发现ZnO-TFT性能随退火温度升高的改善来源于退火温度的升高使ZnO薄膜的晶粒尺寸增大且更均匀、外形更规整、表面更光滑,氧含量更少.
刘玉荣
任力飞
杨任花
韩静
姚若河
温智超
徐海红
许佳雄
关键词:
薄膜晶体管
氧化锌
电特性
退火温度
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