陕西省普通高等学校重点学科专项资金建设项目([2008]171)
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
- 相关作者：肖琪聃吕振林李阳更多>>
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- 相关领域：一般工业技术冶金工程更多>>
- 反应熔渗烧结法制备Ti_3SiC_2材料及其抗弯强度被引量：1
- 2011年
- 以钛、TiC、硅粉为原料,采用反应熔渗烧结法制备了Ti_3SiC_2材料,并对其抗弯强度及断口形貌进行了分析。结果表明:将物质的量比为1:2:0.2的钛、TiC、硅粉混合后,在1500℃烧结0.5h,能够制备出高纯致密的Ti_3SiC_2材料,Ti_3SiC_2的纯度高达97.6%,孔隙率仅为4.6%;随着Ti_3SiC_2材料纯度的增加,材料的抗弯强度明显提高,当Ti_3SiC_2材料的纯度为97.3%时,其抗弯强度达到252.5 MPa;断口可见大量层状Ti_3SiC_2颗粒,颗粒间无明显的界面。
- 吕振林李阳肖琪聃
- 关键词：TI3SIC2孔隙率抗弯强度
- 熔渗法制备Ti_3SiC_2材料及性能影响因素被引量：1
- 2010年
- 采用熔渗反应烧结技术制备了Ti3SiC2材料,并对影响制备材料性能的因素进行了分析.研究结果表明:在熔渗温度为1500℃、熔渗高度为6mm时,最佳熔渗保温时间应为30min;随着制备试样中Ti3SiC2相的逐渐增多,材料的抗弯性能明显提高;随着试验压力的增加,Ti3SiC2材料的摩擦因数和磨损率均呈现先增加后减小的趋势,在试验压力为30N时摩擦因数最大,压力为40N时磨损率最大;摩擦表面连续氧化膜的生成有助于减轻Ti3SiC2材料的磨损.
- 肖琪聃吕振林李阳
- 关键词：TI3SIC2抗弯强度磨损率
