河南省科技攻关计划(132102210048)
- 作品数：2 被引量：5H指数：2
- 相关作者：王爱华海涛刘旭焱崔明月蒋华龙更多>>
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- 发文基金：河南省科技攻关计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 狄拉克材料CaMnBi_2的单晶制备与物理性质研究被引量：2
- 2015年
- 采用高温助溶剂方法制备出各向异性狄拉克材料Ca Mn Bi2的高质量大尺寸单晶样品。综合运用X射线衍射(XRD)、扫描电镜-能量色散X射线光谱仪系统(SEM-EDX)、综合物性测量系统(PPMS)等测试手段对Ca Mn Bi2高质量单晶样品的晶体结构、化学成分、电学、磁学和热学性质进行了系统的研究。结果表明:Ca Mn Bi2的晶体结构是由Mn Bi(1)四面体层、Ca原子层以及Bi(2)四方格子层构成,它们按照Mn Bi(1)-Ca-Bi(2)-Ca-Mn Bi(1)的顺序沿c轴方向堆垛形成"三明治"型层状结构;这些不同的结构层对物理性质有不同的作用,其中Bi(2)四方格子层对电输运性质和狄拉克电子起主要作用,而Mn Bi(1)层中Mn2+对磁学性质的起着决定作用。这两个功能层的共同作用下该材料具有层状准二维电子系统的典型特征,并且表现出金属反铁磁(TN=270 K)行为。
- 何俊宝傅瑜王爱华周大伟邢建莹常清
- 关键词：单晶制备晶体结构物理性质
- 超薄全局应变硅薄膜的应变弛豫研究被引量：3
- 2013年
- 采用Ge浓缩法制备了高质量超薄绝缘体上锗硅(SiGe-on-insulator,SGOI)材料,然后在SGOI上通过超高真空化学气象沉积(UHVCVD)法外延了厚度为15 nm的超薄全局应变硅单晶薄膜,使用电子束光刻和反应离子刻蚀在样品上制备了一组纳米级尺寸不等的应变硅线条和应变硅岛,并利用TEM、SEM、Raman等分析手段表征样品。实验结果表明,本文制备的应变硅由于其直接衬底超薄SiGe层的低缺陷密度和应力牵制作用,纳米图形化的应变Si弛豫度远小于文献报道的无Ge应变硅或者具有Ge组分渐变层SiGe衬底的应变Si材料。
- 刘旭焱崔明月海涛王爱华蒋华龙
- 关键词：应变弛豫拉曼光谱
