中央高校基本科研业务费专项资金(2009ZM0205)
- 作品数：2 被引量：14H指数：1
- 相关作者：赖志成颜骏许志平吴为敬更多>>
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- 相关领域：电子电信更多>>
- 氧化锌基TFT稳定性研究进展
- 2011年
- 总结了氧化锌基TFT稳定性的最新研究进展,分析了栅偏压、栅绝缘层和背沟道影响TFT稳定性,尤其是阈值电压稳定性的主导机制。结果表明,氧化锌基TFT的不稳定性主要取决于陷阱缺陷态对可动载流子的俘获作用,以及新陷阱态的产生。总结了提高氧化锌基TFT稳定性的三种途径:降低栅偏压;提高沟道/栅绝缘层界面质量,降低缺陷态密度;钝化保护背沟道。
- 吴为敬许志平颜骏赖志成
- 关键词：氧化锌薄膜晶体管显示器件
- IGZO TFT与ZnO TFT的性能比较被引量：14
- 2011年
- 分析比较了ZnO TFT与IGZO TFT的主要光电学特性以及阈值电压稳定性。结果表明:ZnO薄膜与IGZO薄膜在可见光波长范围内都有着较高的光学透过率;在同等制备条件下,IGZO TFT器件的场效应迁移率、开关电流比、阈值电压及亚阈值系数等方面的特性均明显好于ZnO TFT;二者都有着较低的泄漏电流,并且差别很小。另外,ZnO TFT在正负偏压下阈值电压都有漂移,而IGZO TFT在正偏压下阈值电压漂移比ZnO TFT的小且在负偏压下阈值电压没有漂移,由此可见IGZO TFT比ZnO TFT有着更好的稳定性。总之,IGZO薄膜比ZnO薄膜更适合作为下一代TFT的有源层材料。
- 吴为敬颜骏许志平赖志成
- 关键词：性能比较光电特性阈值电压漂移
