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Te掺杂AlSb多晶薄膜的性质研究: 2012年; 本文用蒸发的方法在AlSb薄膜上蒸镀一层Te膜,再经过退火处理使Te扩散进入AlSb实现掺杂.对薄膜的结构、电学及电子学性质进行了表征.结果表明,AlSb:Te薄膜在退火后,出现了Al_xTe_y化合物.AlSb:Te薄膜在150℃～170℃之间表现出反常的电导率温度行为,且A1Sb:Te薄膜在这一温度区间退火后呈现n型导电类型,而在更低或更高温度退火则为P型导电类型,这样的实验结果尚未见他人报道.; 郝霞江洪超赵宇冷丹武莉莉冯良桓李卫张静全曾广根王文武

Cu doped AlSb polycrystalline thin films: 2013年; Cu-doped AlSb polycrystalline films were grown on quartz glass by magnetron co-sputtering.The structural,morphological and electrical properties of the films were studied.The incorporation of copper atoms can result in the increase of lattice constants,and annealing is helpful to eliminate this deformation.Cu-doped AlSb films exhibit weak n-type conductivity.The results show that the doping effect has a close relationship with the annealing process,meaning that the position of Cu atom in AlSb polycrystalline films might influence the doping effect.; 武莉莉金硕曾广根张静全李卫冯良桓黎兵王文武; 关键词：多晶薄膜 ALSB CU 退火过程磁控共溅射薄膜生长

Cd_xTe薄膜的共蒸发法制备及其表征: 2015年; 采用Cd Te和Te双源共蒸发的方法,调控Cd Te和Te源的蒸发速率,首次制备出一系列不同x组分的CdxTe二元化合物薄膜,并在N2气气氛下进行185℃退火处理。通过XRD、SEM、紫外–可见吸收光谱分析及暗电导率–温度关系对CdxTe薄膜的结构、形貌、光学和电学性质进行表征。紫外–可见吸收光谱分析表明,不同x组分的CdxTe薄膜,其禁带宽度可在0.99～1.46 e V之间变化,随着x值从0.8减小到0.2,吸收边向长波方向移动,而且透过率也显著下降。XRD结果表明,x值小于0.6时,刚沉积的CdxTe薄膜为非晶相;随着x的值逐渐靠近1,刚沉积的薄膜明显结晶,沿Cd Te（111）方向择优生长,退火处理促使薄膜从非晶转变为多晶。CdxTe薄膜的导电类型为p型,其暗电导率随温度的上升而增大,当温度继续升高至临界点时,薄膜暗电导率–温度关系出现反常。这些结果表明,CdxTe薄膜将有望用于Cd Te薄膜太阳电池以拓展电池的长波光谱响应。; 束青武莉莉冯良桓王文武曹五星张静全李卫黎兵; 关键词：CDTE太阳电池

三层减反射膜的模拟及其在太阳电池中的应用被引量：8: 2013年; 使用减反射膜层是提高太阳电池短路电流密度进而提高电池转换效率的有效手段之一。针对CdTe薄膜太阳电池的光谱响应范围,基于AM1.5辐照光谱,优化设计了MgF2/H4/Al2O3结构的减反射薄膜,使用电子束蒸发技术制备了该减反射膜,使用椭圆偏振仪、紫外/可见分光光度计、原子力显微镜分别测量了所制备薄膜的光学性质和表面形貌,对比分析了膜系结构理论模拟与实验测量结果。结果表明,使用该减反射薄膜后,电池的量子效率提高了7.3%;光电转换效率从12.5%提高到13.3%。; 宫臣张静全冯良桓武莉莉李卫黎兵曾广根王文武; 关键词：减反射膜 CDTE AM1 量子效率

溅射制备CdS薄膜及其在CdTe电池中的应用: 2016年; 采用射频磁控溅射方法分别在石英玻璃和TCO玻璃上制备了不同厚度的CdS薄膜,研究了CdS薄膜厚度对薄膜结构和光学性质的影响。在不同厚度的CdS/TCO衬底上,进一步制备成CdTe薄膜太阳电池。结果表明,CdS薄膜厚度的增加有利于薄膜的生长与结晶;110nm的薄膜具有禁带宽度为2.41eV的最大值;测试电池性能,得到CdS厚度为110nm的电池具有11.42%的最高转换效率。; 高文敏武莉莉曾广根王文武李卫张静全黎兵冯良桓; 关键词：磁控溅射 CDS薄膜

多孔SiO_2减反射薄膜的低温制备及光伏应用被引量：1: 2015年; 采用溶胶凝胶法,使用氨水催化前驱物正硅酸乙酯(TEOS)水解制备SiO2胶体.通过改变溶液浓度调节胶体粒子大小,旋涂低温制备不同折射率纳米多孔SiO2薄膜.使用激光粒度仪和透射电镜分析胶粒大小及分布,粒子分布均匀且在几十纳米范围;使用椭圆偏振仪、紫外/可见分光光度计、扫描电子显微镜表征减反射薄膜的光学性质和表面形貌,发现薄膜表面呈颗粒状且折射率较低,在400nm至800nm波段的透过率平均提高了4%.将溶胶涂在CdS/CdTe太阳电池基底背面,测试结果发现,使用减反射薄膜后电池吸收波段内量子效率(QE)提高,短路电流密度提高了4.45%;光电转换效率由11.50%提高到11.94%.; 陈攀高文敏张静全王文武曾广根李卫武莉莉冯良桓

CdCl_2/ZnCl_2退火对Cd_(1-x)Zn_xTe多晶薄膜性质的影响: 2013年; 使用真空共蒸发法沉积了Cd1-xZnxTe(CZT)多晶薄膜,在气相50%CdCl2+50%ZnCl2源以及气相ZnCl2源气氛下进行了不同温度、不同时间的退火处理,并对样品进行了X射线荧光(XRF)、扫描电镜(SEM)、透射谱和导电类型等性质测试。结果表明,使用50%CdCl2+50%ZnCl2混合源退火后,样品禁带宽度明显减小;使用ZnCl2源两步退火可得到膜面完整、晶粒显著增大以及禁带宽度无明显减小的CZT薄膜样品,退火温度及ZnCl2量对样品膜面形貌及电学性质有重要影响。; 金硕王文武武莉莉曾广根李卫张静全黎兵冯良桓; 关键词：太阳电池退火

Cd_(1-x)Zn_xTe太阳电池的一维数值模拟研究: 2013年; 具有禁带宽度在1.45～2.25eV连续可调特性的Cd1-xZnxTe(CZT)薄膜,用于顶电池在叠层薄膜太阳电池中有巨大的应用潜力。文章使用AMPS-1D对CdS/CZT结构的薄膜太阳电池进行模拟,研究了CZT与金属接触的背电极势垒、CZT薄膜厚度及掺杂浓度对CdS/CZT电池器件性能的影响。结果表明,需要采用功函数高(大于5.8eV)的金属作为背电极以消除背电极势垒;CZT薄膜厚度低于10μm时,增加厚度有助于增大电池短路电流;当CZT具有适当厚度(～6μm)时,对CZT层进行重掺杂(掺杂浓度1019～1021 cm-3)有助于获得更高效率的CdS/CZT电池。; 曹五星武莉莉曾广根王文武冯良桓张静全李卫黎兵; 关键词：CZT 叠层电池

退火对Cd_(1-x)Zn_xTe薄膜性质的影响: 2013年; 本文用双源真空蒸发的方法制备了Cd1-xZnxTe薄膜,通过热探针、SEM、XRD及紫外-可见光透过谱等方法研究了不同退火条件对薄膜性质的影响.退火后Cd1-xZnxTe多晶薄膜的光学禁带宽度在1.54eV～1.68eV之间,且沿立方相(111)面择优生长.退火温度主要影响薄膜表面的粗糙度和平均晶粒尺寸,退火时间主要影响薄膜的平均晶粒尺寸.退火温度与时间对薄膜电学性质的影响较小.; 江洪超金硕武莉莉张静全李卫黎兵曾广根王文武; 关键词：退火

反应磁控溅射制备CdTe太阳电池前电极ITO薄膜的性质研究被引量：7: 2014年; 使用反应直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备了ITO薄膜作为CdTe多晶薄膜太阳电池的前电极,研究了氧分压和衬底温度对ITO薄膜光电性能及结构的影响.通过四探针、紫外可见分光光度仪,X射线衍射(XRD)和霍尔测试仪等测试手段对薄膜进行了表征.结果表明:随着氧分压和衬底温度的升高,ITO薄膜在可见光区域的透过性能明显增强,但是薄膜的载流子浓度下降,霍尔迁移率也逐渐降低,同时薄膜的电阻率逐渐增大.在结果分析的基础上,选用衬底温度300℃,1.4%的氧分压条件制备出可见光透过率在80%以上,电阻率为5.3×10-4?·cm的ITO薄膜,将其应用于碲化镉多晶薄膜太阳电池,电池的转换率可以达到10.7%.; 刘霄曾广根张静全杨志军王文武武莉莉李卫黎兵冯良桓; 关键词：氧化铟锡直流磁控溅射太阳电池

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国家重点基础研究发展计划(2011CBA00708)

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