国家高技术研究发展计划(2006AA04Z339)
- 作品数：4 被引量：9H指数：2
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- 无掩模硅图形衬底上3C-SiC的异质外延生长(英文)
- 2008年
- 采用低压化学气相沉积方法在无掩模的硅图形衬底上异质外延生长3C-SiC.硅图形衬底采用光刻和ICP刻蚀得到.图形由平行长条状沟槽和台面组成,其中沟槽宽度为1-10μm不同间隔,沟槽之间距离为1-10μm不同间隔.对于在不同的沟槽和台面尺寸区域3C-SiC的生长进行了详细研究.采用扫描电镜分别观察了不同区域的生长形貌,分析了图形衬底结构上SiC的生长行为.其中合并生长形成的空气隙结构可以释放由Si和SiC晶格失配引起的应力,从而可以用来解决SiC生长中的晶片翘曲问题,进行厚膜生长.XRD结果表明此无掩模硅图形衬底上得到3C-SiC（111）取向生长.
- 赵永梅孙国胜宁瑾刘兴昉赵万顺王雷李晋闽
- 关键词：3C-SICLPCVD图形衬底
- Si基SiC微通道及其制备工艺被引量：5
- 2008年
- 提出了一种用于MEMS的硅基SiC微通道(阵列)及其制备方法,它涉及半导体工艺加工硅晶片和化学气相淀积方法制备SiC。在Si(100)衬底上用半导体工艺刻蚀出凹槽微结构,凹槽之间留出台面,凹槽和台面的几何尺寸(深度、宽度、长度)及其分布方式根据需要而定,此凹槽微结构用作制备SiC微通道的模板;用化学气相淀积方法在模板上制备一厚层SiC材料,此层SiC不仅完全覆盖衬底表面的微结构包括凹槽和台面,还在凹槽顶部形成封闭结构,这样就在衬底上形成了以凹槽为模板的SiC微通道(阵列)。对淀积速率与微通道质量之间的关系进行初步分析,发现单纯地提高淀积速率不利于获得高质量的微通道。
- 王亮孙国胜刘兴昉赵永梅宁瑾王雷赵万顺曾一平李晋闽
- 关键词：微流体微通道碳化硅化学气相沉积
- 基于谐振原理的RF MEMS滤波器的研制被引量：3
- 2012年
- 采用与IC工艺兼容的硅表面MEMS加工技术,以碳化硅材料作为结构材料,研制出一种新型的基于谐振原理工作的RF MEMS滤波器。详细介绍了器件的工作原理、制备方法、测试技术和结果,并对测试结果做出分析。该RF MEMS滤波器由弹性耦合梁连接两个结构尺寸和谐振频率完全相同的MEMS双端固支梁谐振器构成,MEMS谐振器的结构决定了滤波器的中心频率,弹性耦合梁的刚度决定了滤波器的带宽。在大气环境下测试器件的频响特性,得到中心工作频率为41.5MHz,带宽为3.5MHz,品质因数Q为11.8。
- 康中波韩国威司朝伟钟卫威赵永梅宁瑾
- 关键词：滤波器碳化硅
- 水平静电驱动式多晶3C-SiC折叠悬臂梁谐振器微结构(英文)被引量：1
- 2008年
- 介绍了一种微机械叉指静电驱动折叠悬臂梁谐振器的设计和制作方法.将Rayleigh分析法和有限元分析法结合起来分析调整器件尺寸和材料参数对器件性能的影响.制作了三种不同悬臂梁宽度的微机械横向谐振器件,经实验检测它们的谐振频率分别为64.5,147.2,255.5kHz,与模拟结果符合得很好.该结果显示由于具有很高的杨式模量,利用多晶3C-SiC材料体系制作的谐振器件能够具有更高的谐振频率.
- 王亮赵永梅宁瑾孙国胜王雷刘兴坊赵万顺曾一平李晋闽
- 关键词：微机械系统谐振器
