贵州省科学技术基金(J[2011]2323)
- 作品数：3 被引量：25H指数：2
- 相关作者：谢泉李强黄晋马瑞余宏更多>>
- 相关机构：贵州大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金贵州省科学技术基金国际科技合作与交流专项项目更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺理学更多>>
- Mg_2Si半导体薄膜的热蒸发制备被引量：10
- 2013年
- 采用电阻式热蒸发方法和退火工艺制备出了Mg2Si半导体薄膜。研究了退火时间对Mg2Si薄膜的形成和结构的影响。首先在Si(111)衬底上沉积380nm Mg膜,然后在退火炉低真空10-1～10-2Pa氛围400℃退火,退火时间分别为3、4、5、6和7h。通过X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)和拉曼光谱仪对薄膜的结构、形貌和光学性质进行了表征。结果表明,采用电阻式热蒸发方法成功地制备了半导体Mg2Si薄膜,Mg2Si薄膜具有Mg2Si(220)的择优生长特性。最强衍射峰出现在40.12°位置,随着退火时间的延长,Mg2Si(220)衍射峰强度先逐渐变强后变弱,退火4h时该峰强度最强。在256和690cm-1附近有两个Mg2Si拉曼特征峰,退火时间为4和7h时,256cm-1附近Mg2Si拉曼特征峰较强。
- 余宏谢泉肖清泉陈茜
- 关键词：热蒸发退火时间
- Sc掺杂Ca_3Si_4的电子结构和光学性质
- 2013年
- 利用基于密度泛函理论的赝势平面波方法对Sc掺Ca_3Si_4的电子结构和光学性质进行了系统的计算和分析比较。研究结果为块体Ca_3Si_4是间接带隙半导体,带隙为0.372eV,价带主要是由Si的3s和3p及Ca的3d态电子构成,导带主要是由Ca的3d态电子构成,静态介电常数ε_1(0)=19,折射率n_0=4.35;吸收系数在能量3.024eV处达到最大峰值1.56×105cm^(-1)。而掺杂Sc变为n型半导体;费米能级附近的导带主要则由Ca的3d态电子和Sc的3d态电子构成,静态介电常数变为ε_1(0)=54.58,折射率n_0=7.416;吸收系数在能量5.253eV处达到最大峰值1.614×10~5m^(-1)。通过掺杂有效调制了Ca_3Si_4的电子结构和光学性质,计算结果为Ca_3Si_4光电材料的设计与应用提供了理论依据。
- 高冉谢泉
- 关键词：掺杂电子结构光学性质第一性原理
- 厚膜电阻的研究现状及发展趋势被引量：15
- 2014年
- 首先描述了厚膜电阻的基本结构,介绍了制作厚膜电阻的各种材料,然后详细地阐述了厚膜电阻的制备工艺,探讨了厚膜电阻的导电机理和近年来的发展趋势。
- 李强谢泉马瑞黄晋
- 关键词：厚膜电阻导电机理
