国家重点基础研究发展计划(2006CB604906)
- 作品数：13 被引量：65H指数：4
- 相关作者：叶志镇何海平朱丽萍赵炳辉姚斌更多>>
- 相关机构：浙江大学中国科学院长春光学精密机械与物理研究所亚洲大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金浙江省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 空气中氧化锌基可循环使用光催化剂（英文）
- 2017年
- 采用水热方法在蓝宝石衬底上制备出垂直衬底生长的氧化锌纳米柱阵列。分别通过扫描电镜、X射线衍射和光致发光光谱等表征了氧化锌纳米柱阵列的形貌、结构和光学性质。这种纳米柱在空气中对甲基紫显示出良好的光催化性能。空气中的氧气和水蒸气对光降解性能有重要的影响。这种纳米柱对于固态污染物的光降解处理有着潜在的应用前景,是一种高效、可循环使用的光催化剂。
- 余冰冰徐志堃王飞王云鹏赵东旭
- 关键词：氧化锌光催化剂
- 氧分压对直流磁控溅射制备ZnO：Ga透明导电薄膜特性的影响被引量：26
- 2007年
- 通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO(znO:Ga)透明导电薄膜,研究了氧分压对ZnO:Ga透明导电薄膜结构和电光学性能的影响.X射线衍射结果表明所制备的薄膜具有c轴择优取向的六角多晶结构.ZnO:Ca透明导电薄膜的晶粒尺寸强烈依赖于氧分压的大小,随着氧分压的增大薄膜的晶粒尺寸先增大后减小,在氧分压为0.30 Pa时沉积的ZnO:Ga薄膜半高宽最小,晶粒尺寸最大.薄膜的电阻率随着氧分压的增大先减小后增大,沉积薄膜的最低电阻率可达3.50×10^(-4)Ω·cm.此外,所有ZnO:Ga薄膜在可见光范围内的平均透射率均超过90%.
- 马全宝叶志镇何海平朱丽萍张银珠赵炳辉
- 关键词：ZNO:GA透明导电氧化物薄膜氧分压光电特性
- Fe掺杂对CdS光学特性的影响被引量：4
- 2008年
- 采用低压金属有机化学气相沉积技术，在固定源流量的条件下，通过调节衬底温度（270～360℃）生长了不同Fe掺杂浓度的CdS薄膜。光谱测量表明低铁掺杂对CdS晶格振动的影响较小，但对光致发光性质影响较为明显。样品的光致发光谱包括两部分：2．5eV附近带-带跃迁的发光以及2．0～2．4eV之间与缺陷相关的发光。随着铁含量的增加，带-带跃迁逐渐被抑制，发光光谱被缺陷相关的发光主导，同时薄膜的电导也由n型转为p型，说明Fe离子掺入在薄膜引入了受主杂质。通过不同激发密度下的光致发光光谱测量，我们将2．0～2．4eV的发光归结为铁受主相关的D—A对发射，并根据掺杂浓度和发光峰位置估算了Fe受主的能级位置。
- 武晓杰张吉英张振中申德振刘可为李炳辉吕有明李炳生赵东旭姚斌范希武
- 纳米ZnO阵列场发射性能研究
- 2009年
- 目的为了进一步提高ZnO纳米阵列的场发射性能指标。方法采用掺杂n型杂质元素Al和衬底预处理的方法生长ZnO纳米阵列,对相应样品的场发射性能进行比较分析。结果和结论采用Al掺杂和衬底镀Au处理均提高了ZnO纳米阵列场发射的性能,降低了阈值场强。其中衬底镀Au并在此衬底上生长的Al掺杂ZnO纳米阵列开启电场小于0.5 V/μm、阈值电场为4.5 V/μm。
- 唐海平叶志镇PAR KJi-yong
- 关键词：ZNO场发射
- Al-N共掺p型Zn_(0.95)Mg_(0.05)O薄膜的性能被引量：2
- 2007年
- 利用直流反应磁控溅射法,以N2O为N掺杂源,用Al-N共掺技术制备了p型Zn0.95Mg0.05O薄膜.用X射线衍射分析(XRD)、Hall测试仪和紫外可见(UV)透射谱等研究方法对其晶体结构、电学性能和禁带宽度进行分析.XRD分析结果表明,Zn0.95Mg0.05O薄膜具有良好的晶格取向,Hall测试的结果所得p型Zn0.95Mg0.05O薄膜最低电阻率为58.5Ω.cm,载流子浓度为1.95×1017cm-3,迁移率为0.546cm2/(V.s),UV透射谱所推出的薄膜禁带宽度中,纯ZnO,p型Zn0.95Mg0.05O和p型Zn0.9Mg0.1O分别为3.34,3.39和3.46eV,可以看出Mg在ZnO禁带宽度中起了调节作用.
- 简中祥叶志镇高国华卢洋藩赵炳辉曾昱嘉朱丽萍
- 关键词：ZNMGOP型掺杂
- ZnO纳米材料的p型掺杂研究进展被引量：5
- 2010年
- 随着近年来各种形貌ZnO纳米材料的生长及ZnO纳米器件的研究,ZnO纳米材料的p型掺杂逐渐成为研究的重点之一。主要介绍了ZnO纳米材料的p型掺杂及其器件研究进展,简要讨论了当前掺杂研究的局限,展望了今后的发展方向。
- 唐海平马权何海平叶志镇Park Ji-Yong
- 关键词：ZNO纳米材料P型掺杂
- Na掺杂p型ZnO和ZnO/ZnMgO多量子阱结构基LED的制备与室温电注入发射紫蓝光被引量：2
- 2008年
- 在硅单晶上,采用了环境友好的ZnO/Zn0.9Mg0.1O多层量子阱结构作为有源层,Na作为p型掺杂元素,制备了ZnO发光二极管(LED).该LED在室温电注入条件下,实现了较强的紫蓝发光,且有效控制了缺陷发光.这项工作将为ZnO LED走向应用起到重要的推进作用.
- 叶志镇林时胜何海平顾修全陈凌翔吕建国黄靖云朱丽萍汪雷张银珠李先杭
- 关键词：LEDP型ZNO
- 太阳盲MgZnO光电探测器被引量：9
- 2008年
- 利用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备了MgZnO合金薄膜,并采用传统湿法刻蚀的方法在薄膜上制备了梳妆叉指Au电极,构成金属-半导体-金属(MSM)结构。在室温下,实现了太阳盲MgZnO光电探测器,器件的探测峰值位于225 nm,截止边为230 nm。
- 蒋大勇张吉英单崇新吕有明赵延民韩舜姚斌张振中赵东旭申德振范希武
- 关键词：射频磁控溅射
- MOCVD生长MgZnO薄膜及太阳盲紫外光电探测器被引量：2
- 2008年
- 利用MOCVD在蓝宝石衬底上,通过低温生长实现了立方结构、吸收边在255nm的Mg0.52Zn0.48O合金薄膜,并采用传统湿法刻蚀的方法在薄膜上制备了梳状叉指金电极,构成金属-半导体-金属(MSM)结构,实现了在10V偏压下,器件的光响应峰值在250nm,截止边为273nm的MgZnO太阳盲光电探测器。
- 鞠振刚张吉英蒋大勇单崇新姚斌申德振吕有明范希武
- 关键词：金属有机化学气相沉积
- 脉冲激光沉积法(PLD)生长Co掺杂ZnO薄膜及其磁学性能被引量：11
- 2008年
- 采用脉冲激光沉积(PLD)法在单晶Si(100)及石英衬底上生长Co掺杂ZnO薄膜,并且比较了不同生长条件下薄膜的性能。实验观察到了700℃、0.02Pa氧压气氛下生长的Co掺杂ZnO薄膜显示室温磁滞回线。采用XRD、SEM等手段对Co掺杂ZnO薄膜的晶体结构及微观形貌进行了分析,得到的ZnO薄膜具有高度的c轴择优取向,结构比较致密,表面平整度较高,并且没有发现Co的相关分相,初步表明Co有效地掺入了ZnO的晶格当中。霍尔测试表明Co掺杂ZnO薄膜样品保持了半导体的电学性能,电阻率为0.04Ω·cm左右,载流子浓度约为1018/cm3,迁移率都在18.7cm2/V·s以上。实验结果表明材料保持了ZnO半导体的性能,并具有室温铁磁性。
- 叶志高朱丽萍彭英姿叶志镇何海平赵炳辉
- 关键词：氧化锌CO掺杂脉冲激光沉积
