辽宁省博士科研启动基金(20081081)
- 作品数：7 被引量：15H指数：3
- 相关作者：冯秋菊宋哲梁红伟李梦轲蒋俊岩更多>>
- 相关机构：辽宁师范大学大连理工大学吉林大学更多>>
- 发文基金：辽宁省博士科研启动基金国家自然科学基金辽宁省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 基于铌酸锂晶体的电控λ/2波片被引量：1
- 2010年
- 利用有限元法分析了双面电极下铌酸锂晶体内部的电场分布。在规定匀强电场区域条件下,得到匀强电场区域大小随晶体宽度与电极宽度比值增大而增大的规律。在此基础上利用铌酸锂晶体的双横向普克尔效应设计了一种适用于任意光波长的电控λ/2波片。制作并测试了晶体宽度与电极宽度之比分别为2:1和3:1的电控铌酸锂λ/2波片,结果表明:这种波片可将一束线偏振的输入光转换成任意方向偏振的输出光,也可将任意偏振方向的输入光转换成固定方向偏振的输出光,并且晶体宽度与电极宽度比值越大,实验值与理论值符合得越好。
- 李旭东宋哲付丽丽郝林岗吴宁王玉新冯秋菊
- 关键词：光学器件电控有限元法
- MOCVD法制备Cu掺杂ZnO薄膜被引量：5
- 2011年
- 通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备,在c-Al2O3衬底上生长本征和Cu掺杂ZnO(ZnO∶Cu)薄膜。X射线衍射(XRD)谱观察到未掺杂的ZnO和ZnO∶Cu样品都呈现出较好的c轴择优取向生长。X射线光电子能谱(XPS)表明Cu已掺入到ZnO薄膜中。利用光致发光(PL)测试对本征ZnO和ZnO∶Cu进行室温和低温PL测试,在ZnO∶Cu样品的低温PL谱中观察到一个强度很强、范围很广的蓝紫光发射峰(Blue-violet发射峰,BV发射峰),范围在2.8～3.3 eV之间,又进一步通过变温PL测试发现随着温度的升高,BV发射峰峰位发生红移,且80 K时BV发射峰高能边出现自由电子向受主能级(eA0)的跃迁发光,并计算了Cu受主离化能。
- 许露梁红伟刘远达李春野柳阳边继明李国兴李万程吴国光杜国同
- 关键词：MOCVD光致发光
- CVD法制备p-ZnO薄膜/n-Si异质结发光二极管及其性能研究被引量：4
- 2013年
- 利用简单的化学气相沉积方法,首先在n-Si衬底上生长Sb掺杂p-ZnO薄膜,并在此基础上制作了p-ZnO/n-Si异质结发光二极管.对制备的Sb掺杂ZnO薄膜在800℃下进行了热退火处理,发现退火后样品的晶体质量和表面形貌都得到明显提高,并且薄膜呈现的电导类型为p型,载流子浓度为9.56×1017cm-3.此外,该器件还表现出良好的整流特性,正向开启电压为4.0V,反向击穿电压为9.5V.在正向45mA的注入电流条件下,器件实现了室温下的电致发光.这说明较高质量的ZnO薄膜也可以通过简单的化学气相沉积方法来实现,这为ZnO基光电器件的材料制备提供了一种简单可行的方法.
- 冯秋菊蒋俊岩唐凯吕佳音刘洋李荣郭慧颖徐坤宋哲李梦轲
- 关键词：CVD异质结电致发光
- 单块晶体集成的Crossbar网络的优化设计
- 2010年
- 在文献[1]的基础上,对垂直入射和倾斜入射两种结构的Crossbar网络进行了优化设计.垂直入射结构讨论了网络尺寸与通道间距、半波电压、通道数目、晶体尺寸之间的关系,得到35°<θ<45°比较合适.倾斜入射结构讨论了网络尺寸与半波电压、入射o光通道和e光通道的夹角、o光通道间距、e光通道间距、通道数目、晶体尺寸之间的关系,同时考虑到菲涅耳反射损耗,得到35°<θ<45°,-5°<αoi<5°,γ≈θ比较合适.
- 宋哲付丽丽吴宁郝林岗王玉新冯秋菊
- 关键词：信息光学
- 高取向As掺杂ZnO纳米线阵列的制备与表征被引量：3
- 2011年
- 在不采用任何金属催化剂的条件下,运用化学气相沉积法,在Si(100)衬底上制备出高取向的As掺杂ZnO纳米线阵列。样品的X射线衍射(XRD)谱显示获得了单一取向的衍射峰,表明样品具有较好的结晶质量。场发射扫描电镜(FE-SEM)观察表明,As掺杂ZnO纳米线阵列具有均一的直径和长度,其顶部和根部直径分别为70 nm和100 nm,长度约为1.5μm。此外,在能量色散谱(EDS)中观测到了As元素的存在。在低温(11 K)光致发光谱中还观测到了与As掺杂相关的中性受主束缚激子发光(A0X),证实As元素作为受主掺杂进入ZnO晶格。As掺杂ZnO纳米线的成功制备为ZnO基纳米光电器件的实现提供了一种可行的p型掺杂方法。
- 冯秋菊冯宇梁红伟王珏陶鹏程蒋俊岩赵涧泽李梦轲宋哲孙景昌
- 关键词：ZNO纳米线阵列化学气相沉积光致发光
- Cu掺杂ZnO的光致发光光谱被引量：2
- 2011年
- ZnO是宽禁带半导体,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV,是制备光电器件的优选材料。然而,p型掺杂仍是亟待解决的问题。ⅠB元素Cu被认为在ZnO中产生受主能级,可以实现ZnO的p型掺杂。综述了各种制备方法、制备条件和激发条件下得到的Cu掺杂ZnO薄膜、纳米线和纳米棒的光致发光谱和机理,总结出Cu掺杂ZnO光致发光谱的带边发射会因为Cu的掺杂强度降低,或出现发射中心红移等现象。可见光区域由于Cu掺杂会产生新的蓝光、绿光和橙光发射峰,蓝光发射峰可能与Cu2+-Cu+跃迁或VZn和Zni有关;绿光发射峰可能与Cu杂质或VO-VZn跃迁有关,Cu掺杂还可能引入非辐射复合的点缺陷中心;橙光发射峰则可能由于Cu杂质受主能级向深施主能级跃迁而产生。
- 许露梁红伟刘远达李春野冯秋菊柳阳李国兴杜国同
- 关键词：光致发光可见光发射
- Sb掺杂大尺寸ZnO纳米棒的制备及其特性研究
- 2011年
- 采用化学气相沉积法,在没有采用任何催化剂的条件下,在Si(100)衬底上成功制备出Sb掺杂大尺寸ZnO纳米棒,并对样品进行了结构和光学性质的表征。结果表明:纳米棒为结晶质量较好的六角纤锌矿结构,在能量色散谱(EDS)中观测到了Sb元素的存在。此外,在低温光致发光(PL)光谱中还观测到了与Sb掺杂相关的中性受主束缚激子发光峰(A0X)、自由电子到受主能级跃迁的发光峰(FA)、施主受主对(DAP)以及DAP的一级纵向光声子伴线(DAP-1LO),因此证实Sb元素作为受主杂质掺杂已进入ZnO晶格。
- 冯宇冯秋菊王珏蒋俊岩陶鹏程刘爽许瑞卓李梦轲宋哲孙景昌
- 关键词：化学气相沉积ZNO纳米棒光致发光
