2025年1月10日
星期五
|
欢迎来到南京江宁区图书馆•公共文化服务平台
登录
|
注册
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
中科院重大科研装备研制项目(YZ200934)
作品数:
1
被引量:2
H指数:1
相关作者:
曾一明
孔海宽
涂小牛
施尔畏
陈辉
更多>>
相关机构:
中国科学院
更多>>
发文基金:
中科院重大科研装备研制项目
中国科学院知识创新工程重要方向项目
国家高技术研究发展计划
更多>>
相关领域:
理学
更多>>
相关作品
相关人物
相关机构
相关资助
相关领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
1篇
中文期刊文章
领域
1篇
理学
主题
1篇
光学
1篇
光学均匀性
1篇
畴结构
机构
1篇
中国科学院
作者
1篇
郑燕青
1篇
忻隽
1篇
陈辉
1篇
施尔畏
1篇
涂小牛
1篇
孔海宽
1篇
曾一明
传媒
1篇
无机材料学报
年份
1篇
2010
共
1
条 记 录,以下是 1-1
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
高均匀性高掺镁铌酸锂晶体的生长与表征
被引量:2
2010年
采用提拉法生长了高掺镁铌酸锂晶体,并采用高温极化法使晶体单畴化.为研究晶体的成分均匀性、光学均匀性及铁电畴均匀件,采用光谱、激光干涉、电子探针、显微观察等表征手段测定与观察了晶体的紫外吸收边、OH吸收峰、折射率梯度△n、晶体径向上的微观成分及晶体的铁电畴结构.结果表明:通过采用合适的生长组分和改进提拉法生长工艺获得了高质量的高掺镁铌酸锂晶体.晶体的紫外吸收边位于308 nm附近,OH吸收峰位于高抗光损伤阈值特征峰2828 nm处,光学均匀性达△n<5.11×10^(-5).在1200℃下通过外加电场极化获得了高均匀性且完全单畴的铁电畴结构.
涂小牛
郑燕青
陈辉
孔海宽
忻隽
曾一明
施尔畏
关键词:
畴结构
光学均匀性
全选
清除
导出
共1页
<
1
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张