国家自然科学基金(60821092)
- 作品数：5 被引量：29H指数：4
- 相关作者：褚君浩窦亚楠魏彦峰巫艳陈路更多>>
- 相关机构：中国科学院上海太阳能电池研究与发展中心更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市青年科技启明星计划中国科学院知识创新工程重要方向项目更多>>
- 相关领域：理学电气工程电子电信更多>>
- 热原子层沉积氧化铝对硅的钝化性能及热稳定性被引量：6
- 2012年
- 原子层沉积氧化铝已经成为应用于钝化发射极和背面点接触(PERC)型晶硅太阳能电池优异的钝化材料.对于基于丝网印刷技术的太阳能电池,钝化材料的钝化效果及其热稳定性是非常重要的.本文在太阳能级硅片上用热原子层沉积设备制备了20nm和30nm的氧化铝,少子寿命测试结果显示初始沉积的氧化铝薄膜具有一定的钝化效果,在退火后可达到100μs以上,相当于硅表面复合速度小于100cm/s.经过制备传统晶硅太阳能电池的烧结炉后,少子寿命能够保持在烧结前的一半以上,可应用于工业PERC型电池的制备.通过电子显微镜观察到了较厚的氧化铝薄膜有气泡,解释了30nm氧化铝比20nm氧化铝钝化性能和稳定性更差的异常表现.
- 何悦窦亚楠马晓光陈绍斌褚君浩
- 关键词：表面钝化氧化铝
- 硅基薄膜太阳电池研究进展被引量：7
- 2010年
- 硅基薄膜电池主要包括氢化非晶硅电池、氢化微晶硅电池、多晶硅薄膜电池以及硅薄膜叠层电池。本文归纳了硅基薄膜材料和器件的微观结构、光学和电学特性,讨论了硅基薄膜电池性能的优化设计,并介绍了近期的研究进展情况,比如,氢化非晶硅抗反射涂层、晶粒为几个纳米的微晶硅材料、中间插入反射层的新型叠层电池结构以及具有高稳定性的多晶硅薄膜电池CSG。
- 窦亚楠褚君浩
- 关键词：氢化非晶硅多晶硅薄膜
- 长波红外2048元线列碲镉汞焦平面器件被引量：10
- 2009年
- 介绍了长波红外2048元线列碲镉汞焦平面器件的制备技术和达到的性能参数.探测器采用离子注入平面pn结制备光敏元,通过间接倒焊技术和读出电路互联,采用8个256元焦平面模块拼接2048元线列焦平面器件.光敏元的响应截止波长达到9.9μm,相应的R0A达到10Ωcm2,平均峰值探测率达到9.3×1010cmHz1/2W-1,响应不均匀性为8%,有效光敏元率大于99.5%.
- 李言谨杨建荣何力张勤耀丁瑞军方维政陈新强魏彦峰巫艳陈路胡晓宁王建新倪云芝唐红兰王正官
- 关键词：长波红外焦平面碲镉汞
- 原位退火对磁控溅射制备的ZnS薄膜微结构和发光性能的影响被引量：5
- 2011年
- 采用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了系列ZnS薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和荧光分光光度计研究了Ar气氛中300～500℃原位退火对薄膜微结构和发光性能的影响.结果表明,退火温度对ZnS薄膜的结晶性能和晶粒大小的影响不大,但会显著影响其发光特性.低温退火处理的薄膜的PL谱具有多个发光峰,而500℃退火的薄膜则表现为单一发光峰结构.PL谱的这种变化是由于退火引起ZnS薄膜中的缺陷种类和浓度变化所致.
- 石刚李亚军左少华江锦春胡古今褚君浩
- 关键词：ZNS薄膜光致发光磁控溅射
- 非简并p型Hg_(1-x)Mn_xTe单晶(x>0.17)的负磁电阻机理研究被引量：1
- 2012年
- 研究磁性半导体中负磁电阻产生机理对正确理解载流子与磁性离子间的sp-d磁交换作用是非常重要的.通过变温(10—300 K)磁输运和变温(5—300 K)磁化率实验研究了一系列不同Mn含量非简并p型Hg_(1-x)Mn_xTe单晶(x>0.17)的负磁电阻和顺磁增强效应.实验结果表明其负磁电阻与温度的关系和磁化率与温度的关系基本一致,两者都包含一个呈指数型变化的温度函数exp(-K/T).根据磁性半导体的杂质能级理论,非简并P型Hg_(1-x)Mn_xTe单晶在低磁场范围内出现负磁电阻效应的主要物理机理为外磁场的磁化效应使得受主杂质或受主型束缚磁极化子的有效电离能减小.
- 朱亮清林铁郭少令褚君浩
- 关键词：磁性半导体
