深圳市科技计划项目(20120821110533437)
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
- 相关作者：闫征武红磊郑瑞生李萌萌郑伟更多>>
- 相关机构：深圳大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金深圳市科技计划项目国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- Na:O共掺杂AlN晶体的第一性原理研究
- 2015年
- 基于密度泛函理论的第一性原理全势线性缀加平面波法,分别研究了Al N在Na单掺杂和Na:O共掺杂情况下的晶格结构、电子态密度及能带结构。计算结果表明:Na单掺杂Al N和Na:O共掺杂Al N均为直接带隙半导体材料,且表现出p型掺杂特性;相比于本征Al N晶体,两者的晶格结构均膨胀,而Na:O共掺杂相对Na单掺杂Al N晶格膨胀较小;Na单掺杂Al N的价带顶态密度具有较强的局域化特性,不利于掺杂浓度的提高;与Na单掺杂Al N相反,Na:O共掺杂Al N的价带顶态密度局域化特性明显减弱,受主能级变浅,有利于Al N的p型掺杂。
- 徐百胜闫征武红磊郑瑞生
- 关键词：氮化铝第一性原理电子结构P型掺杂
- Li-O共掺杂AlN晶体的第一性原理研究被引量：1
- 2014年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理全势线性缀加平面波法,研究了Li-O共掺杂纤锌矿AlN体系的晶格结构、电子态密度、能带结构和光学性质,较详细地分析了O对Li掺杂AlN晶体p型特性的影响。结果表明:Li-O共掺杂会导致AlN晶格收缩和禁带宽度减小;与Li单掺杂相比,O杂质的加入使得价带顶部的态密度峰值减小且局域化加强,降低了Li在AlN晶体中的受主特性。相较于未掺杂时的情况,Li-O共掺杂AlN的介电函数虚部谱只保留了位于7.5 eV处的主峰,谱线也变得更加平缓,而材料的吸收区范围未受到影响。Li-O共掺杂后的AlN材料依然能很好地工作在紫外光区域。
- 闫征郑瑞生武红磊
- 关键词：ALN第一性原理态密度光学性质
- 升华法生长氮化铝晶体的热场分析被引量：2
- 2013年
- 本文使用有限元法模拟氮化铝晶体生长系统的温度场,分析了坩埚的位置、感应线圈的匝间距以及原料与晶体之间的距离对温度场分布的影响。结果表明:坩埚位置主要影响系统中最高温度的位置及温度梯度的大小;原料与结晶体之间的距离仅对温度梯度有影响;感应线圈的匝间距则影响加热效率的高低。通过合理优化以上三个条件,可以获得适宜于高品质氮化铝晶体快速制备的理想热场。
- 武红磊郑瑞生李萌萌闫征郑伟徐百胜
- 关键词：升华温度场有限元
