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上海市科委科技攻关项目(08110511600)
上海市科委科技攻关项目(08110511600)
- 作品数：4 被引量：5H指数：1
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- 相关机构：上海理工大学更多>>
- 发文基金：上海市科委科技攻关项目上海市教育委员会重点学科基金更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信更多>>
- 磁控溅射制备ZnO缓冲层薄膜的微观结构和光学性能被引量：1
- 2014年
- 研究了衬底温度、溅射气压对磁控溅射沉积ZnO缓冲层薄膜的微观结构、表面形貌和光学性能的影响。结果表明,衬底温度、溅射气压对ZnO缓冲层薄膜表面形貌、晶粒尺寸、禁带宽度和光学透过率等有较大影响。综合分析得出最佳的制备ZnO缓冲层薄膜的工艺为250℃、0.6 Pa。在此工艺下制备的ZnO缓冲层薄膜具有很好的ZnO(002)面c轴择优取向,结构致密、尺寸均匀,禁带宽度为3.24 eV,可见光平均透过率为86.93%,符合作CIGS太阳能电池缓冲层的要求。
- 王玉伟刘平李伟刘新宽马凤仓陈小红何代华
- 关键词：衬底温度溅射气压微观结构光学性能
- 化学水浴法制备In_2S_3薄膜的组织和性能研究被引量：3
- 2013年
- 采用化学水浴(CBD)法在InCl3.4H2O和CH3CSNH2的酸性混合溶液体系中分别通过改变pH值、溶液nIn:nS浓度比及溶液温度参数依次制备In2S3薄膜,并通过X射线衍射、扫描电镜及紫外/可见/近红外分光光度计等手段系统研究不同工艺下制备In2S3薄膜的晶相结构、表面形貌及光学性能。研究发现:溶液pH值对制备In2S3薄膜有很大的影响,在pH为1.8制备的In2S3薄膜性能较好;溶液nIn:nS浓度比影响薄膜的致密性,在1:4时相对较好;CBD法制备薄膜最佳溶液温度为80℃。在优化工艺参数下制备的In2S3薄膜可见光透过率在90%以上,禁带宽度为2.72eV,能够满足CIGS太阳能电池缓冲层薄膜的要求。
- 王卫兵刘平李伟马凤仓刘新宽陈小红何代华
- 关键词：PH值
- CIGS薄膜太阳能电池缓冲层材料的研究进展被引量：1
- 2012年
- CIGS薄膜太阳能电池的缓冲层为低带隙CIGS吸收层与高带隙ZnO窗口层之间形成过渡,减少两者带隙的晶格失配和带隙失调,并可防止溅射ZnO窗口层时给CIGS吸收层带来损害等,对提高CIGS薄膜太阳能电池效率起了重要作用。介绍了CIGS薄膜太阳能电池缓冲层材料的分类和制备工艺,主要阐述了CdS、ZnS及In2S3薄膜缓冲层材料及化学水浴法、原子层化学气相沉积法、金属化合物化学气相沉积法等制备工艺的研究现状,最后指出CIGS太阳能电池缓冲层在制备工艺、环境保护及大规模工业化生产中遇到的问题,并展望了其发展方向。
- 王卫兵刘平李伟马凤仓刘新宽陈小红
- 关键词：CIGS太阳能电池缓冲层
- 预制层结构成分对溅射后硒化制备CIGS薄膜的影响
- 2013年
- 采用磁控溅射法制备了不同结构成分的铜铟镓(CIG)预制层,对预制层进行硒化得到铜铟镓硒(CIGS)薄膜。采用XRD、SEM及EDS研究了CIG预制层的结构成分对CIGS薄膜的组织与结构的影响。结果表明,不同结构成分的CIG预制层经过硒化后得到的CIGS薄膜中各元素的成分比例差别不大;采用Ga浓度相对较高的CuGa靶制备的两层结构的CIG预制层经硒化后生成的CIGS薄膜,其(112)面择优取向比较明显,晶粒尺寸相对较大。
- 王卫兵刘平李伟马凤仓刘新宽何代华
- 关键词：CIGS磁控溅射
