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三(二乙胺基)氯化硅烷的合成被引量：4: 2003年; 随着半导体集成电路技术的发展,器件表面钝化保护膜的重要性日益显著。氮化硅薄膜是半导体集成电路中最具应用前景的表面钝化材料之一,发展低温的热化学气相沉积(CVD)工艺来沉积氮化硅表面钝化膜是集成电路发展的趋势,而开发新的硅源、氮源前驱体是实现低温淀积氮化硅薄膜的有效途径。设计了一种新的低温CVD氮化硅薄膜的有机硅源前驱体——三(二乙胺基)氯化硅烷,以四氯化硅和乙二胺为原料,在氮气气氛下,研究了原料预处理、二乙胺用量、反应温度和反应时间等工艺因素对合成收率的影响。最佳工艺条件下,收率达77.4%,并利用核磁共振、元素分析及红外光谱表征了产物的组成及结构。; 刘学建陈耀峰黄莉萍

LPCVD氮化硅薄膜的化学组成被引量：7: 2006年; 分别采用X光电子能谱(XPS)、俄歇电子能谱(AES)、傅立叶红外光谱(FTIR)以及弹性反冲探测(ERD)等方法,分析了三氯硅烷-氨气-氮气体系低压化学气相沉积(LPCVD)氮化硅(SiNx)薄膜的化学组成,并利用原子力显微镜(AFM)观察了SiNx薄膜的表面形貌。XPS分析结果表明,当原料气中氨气与三氯硅烷的流量之比小于3时获得富Si的SiNx薄膜,当流量之比大于4时获得近化学计量的SiNx薄膜(x=1.33)。AES深度分析与XPS分析结果很好地吻合,在835cm-1产生的强红外吸收峰表明Si-N键的形成,ERD分析表明所制备SiNx薄膜中的氢含量很低(1.2at.%)。AFM分析结果表明,所沉积的SiNx薄膜均匀、平整,薄膜的均方根粗糙度RMS仅为0.47nm。; 葛其明刘学建黄智勇黄莉萍; 关键词：氮化硅化学组成 LPCVD

SiH_4-NH_3-N_2体系LPCVD氮化硅薄膜的生长动力学被引量：1: 2003年; 以硅烷和氨气分别作为低压化学气相沉积(LPCVD)氮化硅(SiNx)薄膜的硅源和氮源,以高纯氮气为载气,在热壁型管式反应炉中,借助椭圆偏振仪和原子力显微镜,系统考察了工作压力、反应温度、气体原料组成等因素对SiNx薄膜沉积速率和表面形貌的影响。结果表明:SiNx薄膜的生长速率随着工作压力的增大单调增加,随着原料气中氨气与硅烷的流量之比的增大单调减小。随着反应温度的升高,沉积速率逐渐增加,在840℃附近达到最大,随后迅速降低。在适当的工艺条件下,制备的SiNx薄膜均匀、平整。较低的薄膜沉积速率有助于提高薄膜的均匀性,降低薄膜的表面粗糙度。; 葛其明刘学建黄智勇蒲锡鹏黄莉萍; 关键词：LPCVD 氮化硅薄膜沉积速率

低压CVD氮化硅薄膜的沉积速率和表面形貌被引量：10: 2004年; 以三氯硅烷(TCS)和氨气分别作为低压化学气相沉积(LPCVD)氮化硅薄膜(SiNx)的硅源和氮源,以高纯氮气为载气,在热壁型管式反应炉中,借助椭圆偏振仪和原子力显微镜,系统考察了工作总压力、反应温度、气体原料组成等工艺因素对SiNx薄膜沉积速率和表面形貌的影响.结果表明:随着工作压力的增大,SiNx薄膜的沉积速率逐渐增加,并产生一个峰值.随着原料气中NH3/TCS流量比值的增大,SiNx薄膜的沉积速率逐渐增加,随后逐步稳定.随着反应温度的升高,沉积速率逐渐增加,在830℃附近达到最大,随着反应温度的进一步升高,由于反应物的热分解反应迅速加剧,使得SiNx薄膜的沉积速率急剧降低.在730-830℃的温度范围内,沉积SiNx薄膜的反应表观活化能约为171kJ/mol.在适当的工艺条件下,制备的SiNx薄膜均匀、平整.较低的薄膜沉积速率有助于提高薄膜的均匀性,降低薄膜的表面粗糙度.; 刘学建金承钰张俊计黄智勇黄莉萍; 关键词：LPCVD 氮化硅薄膜沉积速率表面形貌

SiH_4-NH_3-N_2体系LPCVD氮化硅薄膜的研究被引量：3: 2003年; 通过傅立叶红外光谱(FTIR)和X光电子能谱(XPS)研究了SiH4-NH3-N2体系在不同气体原料比情况下,低压化学气相沉积(LPCVD)SiNx薄膜的化学组成,利用原子力显微镜观察了SiNx薄膜的微观形貌,借助椭圆偏振仪研究了薄膜的折射率.结果表明:当原料气中氨气与硅烷的流量之比(R)较小时(R<2),获得富Si的SiNx薄膜(x<1.33),折射率较高.当氨气远远过量时(R >4),获得近化学计量的的SiNx薄膜(x = 1.33),折射率处于1.95～2.00之间.在适当的工艺条件下,获得的SiNx薄膜H、O含量很低,薄膜表面均匀、平整.; 刘学建黄智勇蒲锡鹏黄莉萍; 关键词：氮化硅薄膜化学组成折射率

工艺因素对低压化学气相沉积氮化硅薄膜的影响被引量：3: 2003年; 以硅烷和氨气分别做为硅源和氮源,以高纯氮气为载气,采用热壁式管式反应炉,通过低压化学气相沉积(low pressure chemical vapor deposition,LPCVD)技术制备了氮化硅薄膜(SiN_x)。借助椭圆偏振仪研究了SiN_x薄膜的生长动力学,通过Fourier红外光谱和X光电子能谱表征了SiN_x薄膜的性质,并利用原子力显微镜观察了SiN_x薄膜的微观形貌。在其它工艺条件相同的情况下,SiN_x薄膜的生长速率随着工作压力的增大单调增加,原料气中氨气与硅烷的流量之比(R)对薄膜的生长速率有相反的影响。随着反应温度的升高,沉积速率逐渐增加,在840℃附近达到最大,随后迅速降低。当R<2时获得富Si的SiN_x薄膜(x<1.33);当R>4时获得近化学计量(z≈1.33)的SiN_x薄膜。; 刘学建金承钰黄智勇蒲锡鹏黄莉萍; 关键词：氮化硅薄膜生长动力学

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上海市科学技术发展基金(00JC14015)