国家自然科学基金(511777175)
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- Si衬底AlGaN／GaN功率开关场效应晶体管研制
- 2012年
- 研究了Si衬底AlGaN/GaN异质结构场效应晶体管(HFETs)器件尺寸参数,包括源(漏)极长度、栅宽及欧姆接触电极厚度等对器件性能的影响。基于此,在国内率先实现2英寸Si衬底上栅宽为40 mm的原型AlGaN/GaN HFETs,其输出电流约为20 A,导通电阻为0.4Ω(比导通电阻8.29 mΩ·cm^2)。
- 姚尧贺致远李佳林刘扬
- 关键词：场效应晶体管功率开关栅宽
- 具有逆向导通能力的GaN功率开关器件
- 2012年
- 介绍了一种具有逆向导通能力的GaN功率开关器件逆向导通-高电子迁移率晶体管(RC-HFET)。通过在栅极与漏极之间插入一个肖特基电极并与源极连接,RC-HFET获得了一个逆向导电通路,从而相当于一个功率开关与二极管反并联结构。RC-HFET正向工作的原理与传统HFET相似,导通电阻与传统HFET相近。在器件制造上,RC-HFET与传统HFET完全兼容,无需额外的光刻版及加工流程。因此,在电机驱动等需要反向续流的功率系统中,RC-HFET消除了对续流二极管的需求,提供了一种更具成本优势的方案。
- 魏进姚尧张波刘扬
- 关键词：晶体管
