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国家自然科学基金(10990103)

作品数:11 被引量:16H指数:3
相关作者:杨宇王茺李亮杨杰靳映霞更多>>
相关机构:云南大学中国科学院中国科学院大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划云南省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学电气工程更多>>

文献类型

  • 11篇期刊文章
  • 5篇会议论文

领域

  • 7篇理学
  • 6篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 1篇化学工程

主题

  • 3篇离子注入
  • 3篇量子点
  • 3篇分子束
  • 3篇分子束外延
  • 3篇GE/SI
  • 2篇量子
  • 2篇溅射
  • 2篇分子束外延生...
  • 2篇A-SI
  • 2篇表面形貌
  • 2篇H
  • 1篇电池
  • 1篇堆垛
  • 1篇堆垛层错
  • 1篇优化设计
  • 1篇锗量子点
  • 1篇入射
  • 1篇射线
  • 1篇太阳能
  • 1篇太阳能电池

机构

  • 6篇云南大学
  • 2篇中国科学院
  • 1篇上海师范大学
  • 1篇浙江理工大学
  • 1篇曲阜师范大学
  • 1篇查尔姆斯理工...
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 6篇王茺
  • 6篇杨宇
  • 3篇李亮
  • 2篇杨杰
  • 2篇韦冬
  • 2篇靳映霞
  • 1篇李宁
  • 1篇龚谦
  • 1篇崔灿
  • 1篇戴宁
  • 1篇潘涛
  • 1篇王庶民
  • 1篇周原
  • 1篇鲁植全
  • 1篇何鹏
  • 1篇严进一
  • 1篇张学贵
  • 1篇杨瑞东
  • 1篇崔尉
  • 1篇王凯

传媒

  • 4篇物理学报
  • 2篇Journa...
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇功能材料
  • 1篇Chines...
  • 1篇Chines...
  • 1篇材料科学与工...

年份

  • 1篇2020
  • 5篇2014
  • 5篇2013
  • 2篇2012
  • 3篇2011
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
An Improvement on the Junction Temperature Measurement of Light-Emitting Diodes by using the Peak Shift Method Compared with the Forward Voltage Method被引量:1
2012年
The junction temperature of red,green and blue high power light emitting diodes(LEDs)is measured by using the emission peak shift method and the forward voltage method.Both the emission peak shift and the forward voltage decrease show a linear relationship relative to junction temperature.The linear coefficients of the red,green and blue LEDs for the peak shift method and the forward voltage method range from 0.03 to 0.15 nm/℃ and from 1.33 to 3.59 mV/℃,respectively.Compared with the forward voltage method,the peak shift method is almost independent of bias current and sample difference.The variation of the slopes is less than 2%for the peak shift method and larger than 30%for the forward voltage method,when the LEDs are driven by different bias currents.It is indicated that the peak shift method gives better stability than the forward voltage method under different LED working conditions.
何素明罗向东张波傅雷程立文王金斌陆卫
关键词:DIODESMETHOD
耦合锗量子点中空穴态对称特性研究
2014年
分别采用单带重空穴近似和六带Kronig-Penney模型,对垂直耦合锗量子点在不同耦合距离下的空穴态特性进行了计算,并探讨了自旋-轨道的相互作用对空穴态对称性的影响.计算结果表明:多带耦合的框架下,随着量子点垂直间距的增大,空穴基态从成键态转变为反键态,而且价带基态能级和第一激发态能级发生反交叉现象,这与单带模型下得到的相应结果存在较大差异.通过分析六带模型计算得到的成、反键态波函数,轻、重空穴态和自旋-轨道分裂态对特征空穴态波函数的贡献比例随着量子点垂直间距的增大发生了转变,并最终导致量子点空穴基态波函数由成键态转变为反键态.
崔尉王茺崔灿施张胜杨宇
关键词:耦合量子点自旋-轨道
C+离子注入Si晶体中堆垛层错的研究
在室温下能量为60keV,剂量为3.0×1015cm-2对晶面指数为(400)的P型硅样品中进行了的C+离子注入,对样品进行了XRD和拉曼光谱测试,同时与计算注入后样品的平均晶粒尺寸进行了对比,发现样品出现明显的晶格损伤...
周原王茺韦冬杨宇
关键词:堆垛层错
文献传递
渐变带隙氢化非晶硅锗薄膜太阳能电池的优化设计被引量:5
2014年
利用一维微电子-光电子结构分析软件(AMPS-1D)在AM1.5G(100 mW/cm2)、室温条件下模拟和比较了有、无渐变带隙氢化非晶硅锗(a-SiGe:H)薄膜太阳能电池的各项性能.计算结果表明:渐变带隙结构电池具有较高的开路电压(V oc)和较好的填充因子(FF),转换效率(E ff)比非渐变带隙电池提高了0.477%.研究了氢化非晶硅(a-Si:H)、氢化非晶碳化硅(a-SiC:H)和氢化纳米晶硅(nc-Si:H)三种不同材料的窗口层对a-SiGe:H薄膜太阳能电池性能的影响.结果显示:在以nc-Si:H为窗口层的电池能带中,费米能级E F已经进入价带,使得窗口层电导率及电池开路电压有所提高,又由于ITO与p-nc-Si:H的接触势垒较低,使得接触处的电场降低,更有利于载流子的收集.另一方面,窗口层与a-SiGe:H薄膜之间存在较大的带隙差,在p/i界面由于能带补偿作用形成了价带势垒(带阶)?E v,阻碍了空穴的迁移,因此我们在p/i界面引入缓冲层,使得能带补偿作用得到释放,更有利于空穴的迁移和收集,得到优化后单结渐变带隙a-SiGe:H薄膜结构太阳能电池的转换效率达到了9.104%.
柯少颖王茺潘涛何鹏杨杰杨宇
关键词:太阳能电池
Red Light Emission from Silicon Created by Self-ion Implantation and Thermal Annealing
Silicon substrates were implanted with Si ions at an energy of 60 keV to a dose of 5×10 cm followed by a therm...
Sai LuChong WangWen-jie WangJie YuJie YangYu Yang
关键词:PHOTOLUMINESCENCEANNEALING
文献传递
溅射气压对Ge/Si纳米点表面形貌的影响被引量:1
2012年
利用磁控溅射技术在Si(100)衬底上直接外延生长一系列不同压强下的Ge纳米点样品,并利用AFM、Raman和XRF对Ge纳米点样品形貌和结构进行了研究。结果表明Ge薄膜表面粗糙度在某一临界压强下发生突变,高能粒子热化的临界值与这种转变密切相联;分析讨论了Ge岛在不同溅射气压下的生长过程,在一定范围随着压强的增大会显示典型生长阶段的特征。
叶小松王茺关中杰靳映霞李亮杨宇
关键词:磁控溅射表面形貌
绝缘氧化层上自离子注入Si薄膜W线发光性能的调控
2011年
对SOI基片上的Si薄膜进行了一系列Si+自注入和热退火的改性实验,并利用低温光致发光(PL)光谱对这些Si薄膜样品的发光性能进行了测试.在这些SOI样品的PL光谱中观察到了丰富的光学结构,包括D1,D2,D3,X以及异常尖锐的W线.通过对比在同等光谱测试条件下的W线归一化强度,获得了针对SOI基片发射W线较为理想的自注入和热退火参数.同时,还对D系列发光峰以及W线的缺陷起源和光学性质进行了很好的讨论.
王茺杨宇杨瑞东李亮韦冬靳映霞Bao Ji-Ming
关键词:SOI结构
Coulomb effects in the Ge/Si Single Quantum Dot
Using scanning probe microscopy(SPM) technique,the electronic properties of Ge/Si quantum dots(QDs) have been ...
Lihong ZhangChong WangJie YangJintao YaoYu Yang
文献传递
采用InGaP和InAlP作为虚衬底的张应变Ge薄膜的材料性质比较
2014年
我们利用气态源分子束外延设备在不同In组分的InGaP或InAlP虚衬底上生长Ge薄膜,并比较不同虚衬底上Ge薄膜的材料性质。利用拉曼光谱方法测得生长在InGaP虚衬底上的Ge薄膜最大的张应变量可达1.8%,而生长在InAlP虚衬底上的最大张应变量可达2.0%。通过对表面Ge进行腐蚀并测试电阻的方法,我们发现Ge生长在InGaP上存在平行导电问题,而Ge生长在InAlP上则可以消除平行导电的影响。通过霍尔测试验证了Ge受到张应变时对电子迁移率的提高作用。
周海飞龚谦王凯康传振严进一王庶民
关键词:分子束外延INGAP
Room temperature quantum cascade detector operating at 4.3 μm
2014年
A strain-compensated In P-based In Ga As/In Al As quantum cascade detector grown by solid source molecular beam epitaxy is demonstrated. The device operates at 4.3 m up to room temperature(300 K) with a responsivity of 1.27 m A/W and a Johnson noise limited detectivity of 1.02 107 cm Hz1=2/W. At 80 K, the responsivity and detectivity are 14.55 m A/W and 1.26 1010 cm Hz1=2/W, respectively. According to the response range, this detector is much suitable for greenhouse gas detection.
王雪娇刘俊岐翟慎强刘峰奇王占国
关键词:量子级联分子束外延生长INGAASINP基
共2页<12>
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