国家高技术研究发展计划(7150010162)
- 作品数：2 被引量：5H指数：1
- 相关作者：李庚伟吴正龙邵素珍刘志凯更多>>
- 相关机构：北京市第四十七中学北京师范大学中国科学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si薄膜深度剖析被引量：1
- 2007年
- 对于在Si(111)上用氧离子束辅助(O+-assisted)脉冲激光淀积(PLD)生长的ZnO薄膜,用X射线光电子能谱(XPS)深度剖析方法对长成的样品进行了异位测试,分析了导致各峰峰位能移的因素;通过异位与原位XPS谱图的比较,指出O+-assistedPLD法生成的ZnO薄膜中存在孔隙;指出生长出的ZnO薄膜中含Si成分的厚度不超过18nm;同时探讨了在长成的ZnO/Si上继续生长GaN薄膜的可行性.
- 李庚伟吴正龙邵素珍刘志凯
- 氧离子束辅助激光淀积生长ZnO／Si的XPS探究被引量：4
- 2008年
- 为了探究ZnO/Si内部化学成分及有关信息,用氧离子束辅助(O+-assisted)脉冲激光淀积(PLD)法在不同实验条件下生长成ZnO/Si(111)样品.利用X射线光电子能谱(XPS)对长成的ZnO/Si异质结构进行了异位测试.通过对O1s峰及其肩状结构进行拟合、分析,得到了原子数密度比n(O)∶n(Zn),进而探究了原子数密度比与生长质量的关系.结果表明,用氧离子束辅助PLD法,可在较低的衬底温度190℃和适当O+束流条件下,生长出正化学比接近于1,且c轴单一取向最佳的ZnO/Si薄膜.用氧离子束辅助PLD淀积法生长ZnO薄膜,可以改善缺氧状况,能提供一个富氧环境.
- 李庚伟吴正龙邵素珍刘志凯
