博士科研启动基金(GDBJ2008-034)
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
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- Ti/n型6H-SiC(0001)接触界面的研究被引量：2
- 2012年
- 用同步辐射光电子能谱(SRPES)和X射线光电子能谱(XPS)的方法研究了Ti/n型6H-SiC(0001)的接触界面。Ti/n型6H-SiC(0001)样品采用磁控溅射的方法获得,然后将表面的Ti用氩离子刻蚀的方法慢慢刻蚀掉,Ti2p3/2用XPS测得,结合能从刻蚀时间为245 min的457.86 eV逐渐移动到刻蚀时间为255 min时的457.57 eV,移动约为0.3 eV。Si2p用同步辐射光测得,结合能从刻蚀245 min时的101.12 eV移动到干净的100.67 eV,峰形状未发生变化,表明Ti与衬底之间没有发生化学反应,SiC的价带发生弯曲,形成的势垒高度为0.89 eV。向SiC上蒸Si 2.5 min,退火30 min,观察LEED花样,发现当发射电流为30mA,能量37 eV时,SiC表面有√3*√3重构,发射电流为40 mA时,有6√3*6√3的重构。
- 刘衍芳潘海斌
- 关键词：TI6H-SIC肖特基势垒X射线光电子能谱
- Al界面层对Ti/n型6H-SiC(0001)接触势垒影响的研究
- 2012年
- 文章采用电子背散射衍射仪(EBSD)对6H-SiC晶片进行测试,发现晶片表面干净、平整,能够看到六方结构的衍射花样;采用磁控溅射的方法制备Ti/n型6H-SiC(0001)和Ti(Al)/n型6H-SiC(0001)样品,再分别将表面的Ti和Ti、Al用氩离子刻蚀的方法刻蚀掉,用X射线光电子能谱仪(XPS)对Ti/n型6H-SiC(0001)和Ti(Al)/n型6H-SiC(0001)接触界面的势垒高度进行研究。结果发现,SiC的能带发生弯曲,形成的势垒高度分别为0.89eV和0.71eV,该结果表明,Al的存在降低了Ti/n型6H-SiC(0001)接触界面的势垒高度。
- 刘衍芳
- 关键词：6H-SIC肖特基势垒X射线光电子能谱
