国家高技术研究发展计划(2002AA313050)
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
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- 相关机构：中国科学院惠州市中科光电有限公司更多>>
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- 离子束刻蚀法制备大功率高效率650nm AlGaInP可见光激光器(英文)
- 2004年
- 用纯 Ar离子束刻蚀方法制备出大功率高效率 6 5 0 nm实折射率 Al Ga In P压应变量子阱激光器 .对偏角衬底 ,干法刻蚀可得到湿法腐蚀不能得到的高垂直度和对称台面 .制备的激光器条宽腔长分别为 4 μm和 6 0 0 μm,前后端面镀膜条件为 10 % / 90 % .室温下阈值电流的典型值为 4 6 m A,输出功率为 4 0 m W时仍可保持基横模 .10 m W,4 0 m W时的斜率效率分别为 1.4 W/ A和 1.1W/ A.
- 徐云曹青孙永伟孙永伟叶晓军侯识华郭良
- 大功率GaInP/AlGaInP半导体激光器被引量：1
- 2005年
- 制备了大功率实折射率GaInP/AlGaInP压应变分别限制量子阱激光器.所用外延材料在15°偏角的GaAs衬底上由有机金属气相外延一次外延生长得到.制备的激光器具有双沟脊波导结构,条宽和腔长分别为3和900μm,前后端面分别蒸镀5%的增透膜和95%的高反膜.分析了室温连续激射时激光器的光电输出性能.阈值电流的典型值为32mA,光学灾变阈值为88mW,功率为80mW时的工作电流为110mA,斜率效率为1W/A,串联电阻为3Ω.基横模光输出功率可达60mW,60mW时的平行结和垂直结的远场发散角分别为10°和32°,激射波长为658·4nm.器件的内损耗为4·1cm-1,内量子效率达80%,透明电流密度为648A/cm2.
- 徐云郭良曹青宋国峰甘巧强杨国华李玉璋陈良惠
- 关键词：半导体激光器应变量子阱
