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江苏省自然科学基金(BK2002086)
作品数:
1
被引量:10
H指数:1
相关作者:
陈静
金国钧
马余强
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相关机构:
淮阴师范学院
南京大学
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发文基金:
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相关领域:
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作者
1篇
马余强
1篇
金国钧
1篇
陈静
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1篇
物理学报
年份
1篇
2009
共
1
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氧空位对钴掺杂氧化锌半导体磁性能的影响
被引量:10
2009年
从实验和理论上阐述了氧空位对Co掺杂ZnO半导体磁性能的影响.采用磁控溅射法在不同的氧分压下制备了Zn0.95Co0.05O薄膜,研究了氧分压对薄膜磁性能的影响.实验结果表明,高真空条件下制备的Zn0.95Co0.05O薄膜具有室温铁磁性,提高氧分压后制备的薄膜铁磁性逐渐消失.第一性原理计算表明,在Co掺杂ZnO体系中引入氧空位有利于降低铁磁态的能量,铁磁态的稳定性与氧空位和Co之间的距离密切相关.
陈静
金国钧
马余强
关键词:
稀磁半导体
第一性原理计算
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