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北京市教育委员会科技发展计划(Km200310005011)

作品数：1 被引量：9H指数：1
相关作者：王波李驰平宋雪梅严辉更多>>
相关机构：北京工业大学更多>>
发文基金：北京市教育委员会科技发展计划北京市优秀人才培养资助更多>>
相关领域：电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 1篇电子工业
  • 1篇栅介质
  • 1篇栅介质材料
  • 1篇微电子
  • 1篇微电子工业
  • 1篇介电常数
  • 1篇介质
  • 1篇介质材料
  • 1篇高K材料
  • 1篇高介电常数
  • 1篇高介电常数材...
  • 1篇SIO2

机构

  • 1篇北京工业大学

作者

  • 1篇严辉
  • 1篇宋雪梅
  • 1篇李驰平
  • 1篇王波

传媒

  • 1篇材料导报

年份

  • 1篇2006
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
新一代栅介质材料——高K材料被引量：9
2006年
介绍了微电子工业的发展趋势和Si O2作为CMOS栅介质减薄所带来的问题,从而引出对高K材料的需求,简单介绍了作为栅极介质的各种高介电常数材料的性能的比较及制备高K薄膜的主要方法,总结了一些高K材料的研究现状,论述了目前有待进一步解决的问题,并展望了高K材料的发展趋势。
李驰平王波宋雪梅严辉
关键词：高K材料介质材料高介电常数材料微电子工业SIO2
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