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国家重点基础研究发展计划([2001]51)
作品数:
1
被引量:4
H指数:1
相关作者:
谢家纯
施朝淑
徐传明
刘洪图
杨晓杰
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徐军
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谢家纯
传媒
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发光学报
年份
1篇
2004
共
1
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以硅为衬底的ZnO p-n结的制备及其结构、光学和电学特性
被引量:4
2004年
分别在n型半绝缘Si、弱n (n )以及强n (n+ )型Si片 (1 0 0 )面上用射频磁控反应溅射法和直流磁控反应溅射法制备了p型ZnO薄膜以及ZnO同质p n结。其中在生长p型ZnO时 ,反应室中通以过量的氧。对上述p型和n型ZnO薄膜进行了X射线衍射测量 ,在 34.1°附近得到了 0 .3°左右半峰全宽的ZnO(0 0 2 )衍射峰。ZnO薄膜的原子力显微镜图像上可见六角型的自组装结构。阴极射线荧光的测量显示了位于 390nm的紫外特征峰。用I V特性仪测量了上述ZnOp n结原型器件的I V电学输运曲线 ,其正向显示了约为 1 .1V的阈值 ,与日美科研人员用直流溅射和扩散法制备的ZnOp n结相似 。
许小亮
杨晓杰
谢家纯
徐传明
徐军
刘洪图
施朝淑
关键词:
氧化锌
P-N结
硅
电流-电压特性
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