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国家自然科学基金(10604007)

作品数：4 被引量：2H指数：1
相关作者：英敏菊董西亮张旭廖斌郭伟更多>>
相关机构：北京师范大学对外经济贸易大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 2篇离子注入
  • 1篇等离子体
  • 1篇蒸发
  • 1篇烧蚀
  • 1篇适定性
  • 1篇体动力学
  • 1篇气体动力学
  • 1篇晶格
  • 1篇拉曼
  • 1篇拉曼光谱
  • 1篇激光
  • 1篇激光等离子体
  • 1篇激光烧蚀
  • 1篇光谱
  • 1篇SINE
  • 1篇SINE-G...
  • 1篇GA
  • 1篇GORDON...
  • 1篇MEV
  • 1篇超晶格

机构

  • 4篇北京师范大学
  • 1篇对外经济贸易...

作者

  • 3篇英敏菊
  • 2篇董西亮
  • 1篇郭伟
  • 1篇廖斌
  • 1篇张旭

传媒

  • 2篇北京师范大学...
  • 1篇数学的实践与...
  • 1篇强激光与粒子...

年份

  • 1篇2015
  • 3篇2008
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
激光烧蚀靶材蒸发波模型的气体动力学与冲量耦合系数计算被引量：1
2015年
本论文在Krokhin蒸发波模型气体动力学方程组的基础上,考虑了固体靶的熔解热以及沉积在液体层中的能量,通过迭带计算求解了激光烧蚀Al、Cu、Si、Ge样品材料时蒸发波的温度、压强、出射速度以及密度等气体动力学参量;利用改进的Pirri模型,计算了短脉冲激光与靶材料相互作用过程中的冲量耦合系数,讨论了样品尺寸以及光斑大小对于冲量耦合系数的影响.
英敏菊王潇潇程伟廖斌张旭
关键词：激光等离子体冲量耦合系数
用拉曼光谱测量离子注入引起的晶格应变被引量：1
2008年
对于10个周期的A1As／GaAs超晶格和25个周期的GaAs／Ga0.92In0．08As超晶格，在室温下进行0．28MeV的Zn^＋注入，注入剂量为5×10^13～5×10^14cm^-2。通过拉曼光谱测量，定量地分析了由于离子注入所引起的晶格内应变。实验结果表明：在所选用的注入剂量下，由于离子注入引起的应变小于体材料GaAs的最大非驰豫应变值0．038，说明该注入条件下，注入区的结晶态仍然保持得比较好。在较高注入剂量下应变达到饱和，说明缺陷的产生和复合达到了平衡，从而形成了均衡的应变场分布。
英敏菊董西亮
关键词：离子注入GAAS超晶格拉曼光谱
0.28 MeV Zn离子注入GaInP/GaInAsP量子阱薄膜材料的损伤行为研究
2008年
对于GaAs衬底（100）面上用金属有机物气相淀积（MOCVD）技术外延生长的GaInP／GaInAsP单量子阱，在室温下进行0.28MeV的Zn^＋离子注入，选用的注量从1×10^14～5×10^14cm^-2。通过双晶X射线衍射光谱测量，定量地分析了由于离子注入所引起的晶格内应变。实验结果表明在所选用的注量下，由于离子注入引起的应变小于体材料GaAs的最大非弛豫应变值0.038，说明在这样的注入条件下，注入区的结晶态仍然保持地比较好。在较高注量下应变达到饱和，应变的饱和说明缺陷的产生和复合达到了平衡，从而形成了均衡的应变场分布。
英敏菊董西亮
关键词：离子注入
Sine-Gordon方程的动态边界反馈镇定
2008年
考虑一端固定,控制输入在另一端的Sine-Gordon方程的动态边界反馈镇定问题.我们给出闭环系统的适定性,并利用乘子方法得到在动态边界反馈控制下闭环系统的多项式衰减率.
郭伟英敏菊
关键词：适定性
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共1页<1>
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