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北京工业大学博士启动基金(127-00227)

作品数：1 被引量：4H指数：1
相关作者：安国平宇慧平隋允康更多>>
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇直拉法
  • 1篇数值模拟
  • 1篇垂直磁场
  • 1篇磁场
  • 1篇值模拟

机构

  • 1篇北京工业大学

作者

  • 1篇隋允康
  • 1篇宇慧平
  • 1篇安国平

传媒

  • 1篇北京工业大学...

年份

  • 1篇2006
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
大直径单晶硅垂直磁场下的数值模拟被引量：4
2006年
为了研究磁场对晶体生长界面的形状、温度、氧的质量分数分布等的影响,本文采用低雷诺数的κ-ε湍流模型,对直径为200 mm、哈特曼数分别为0、500、1000和2000的大直径单晶硅进行了数值模拟．结果表明,垂直磁场能抑制熔体中的径向对流,并在一定程度上使子午面的流动减弱,氧的轴向减小,等温线变得更为平坦．当磁场强度过高时,熔体中氧的轴向增加,湍流程度也增加．
宇慧平隋允康安国平
关键词：直拉法磁场数值模拟
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共1页<1>
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