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钒注入4H-SiC半绝缘特性的研究被引量：3: 2006年; 研究了2100keV高能量钒注入4H-SiC制备半绝缘层的方法和特性，注入层的浓度分布用蒙特卡罗分析软件TRIM进行模拟．采用一种台面结构进行I-V测试，发现钒注入层的电阻率与4H-SiC层的初始导电类型有很大关系．常温下，钒注入p型和n型4H-SiC的电阻率分别为1．6×10^10和7．6×10^6Ω·cm．测量了不同退火温度下的电阻率，发现高温退火有利于钒的替位激活和提高电阻率，由于钒扩散的影响1700℃退火使得电阻率略有下降．测量了n型SiC钒注入层在20～140℃时的电阻率，计算出钒受主能级在4H-SiC中的激活能为0．78eV．; 王超张玉明张义门; 关键词：碳化硅半绝缘退火激活能

钒注入制备半绝缘SiC的退火效应(英文): 2008年; 对钒离子注入p型和n型4H-SiC制备半绝缘层的方法和特性进行了研究。注入层电阻率随退火温度的升高而增加,经过1650℃退火后,钒注入p型和n型SiC的电阻率分别为1.6×1010Ω·cm和7.6×106Ω·cm。借助原子力显微镜对样品表面形貌进行分析,发现碳保护膜可以有效减小高温退火产生的表面粗糙,抑制沟槽的形成。二次离子质谱分析结果表明退火没有导致明显的钒在SiC中的再扩散。即使经过1650℃高温退火,也没有发现钒离子向SiC表面外扩散的现象。; 王超张义门张玉明谢昭熙郭辉徐大庆; 关键词：退火

钒受主能级在n型4H-SiC中的深能级瞬态傅里叶谱和光致发光(英文): 2008年; 借助深能级瞬态傅里叶谱研究了钒离子注入在SiC中引入的深能级陷阱.掺入的钒在4 H-SiC中形成两个深受主能级,分别位于导带下0.81和1.02eV处,其电子俘获截面分别为7.0×10-16和6.0×10-16cm2.对钒离子注入4 H-SiC样品进行低温光致发光测量,同样发现两个电子陷阱,分别位于导带下0.80和1.16eV处。结果表明,在n型4 H-SiC掺入杂质钒可以同时形成两个深的钒受主能级,分别位于导带下0.8±0.01和1.1±0.08eV处.; 王超张义门张玉明王悦湖徐大庆; 关键词：4H-SIC

高能量钒注入n型4H-SiC的欧姆接触形成(英文): 2007年; 借助二次离子质谱法分析了注入的钒离子在碳化硅中的分布.即使经过1650℃的高温退火,钒在碳化硅中的再扩散也不显著.退火并没有导致明显的钒向碳化硅表面扩散形成堆积的现象,由于缺少钒的补偿作用,表面薄层的自由载流子浓度保持不变.采用线性传输线模型测量了钒注入n型4H-SiC上的Ni基接触电阻,在1050℃下,在氮、氢混合气体中退火10min,形成的最低比接触电阻为4.4×10-3Ω.cm2.金属化退火后的XRD分析结果表明,镍、碳化硅界面处形成了Ni2Si和石墨相.观测到的石墨相是由于退火导致C原子外扩散并堆积形成,同时在碳化硅表面形成C空位.C空位可以提高有效载流子浓度,降低势垒高度并减小耗尽层宽度,对最终形成欧姆接触起到了关键作用.; 王超张义门张玉明郭辉徐大庆王悦湖; 关键词：欧姆接触

n+多晶硅/n+ SiC异质结欧姆接触被引量：1: 2006年; 采用器件仿真软件ISE TCAD模拟了n+多晶硅/n+ SiC异质结形成欧姆接触的新的SiC欧姆接触制造技术.模拟结果表明n+多晶硅/n+ SiC异质结接触可以形成良好的欧姆接触,具有工艺简单、性能优良的优点.; 张林张义门张玉明汤晓燕; 关键词：SIC 欧姆接触多晶硅异质结

n型SiC的Ni基欧姆接触中C空位作用的实验证明(英文)被引量：2: 2007年; 通过在Si面p型4 H-SiC外延层上使用P+离子注入来形成n阱.Ti和Ni依次淀积在有源区的表面,金属化退火后的XRD分析结果表明Ni2Si是主要的合金相.XEDS的结果表明在Ni2Si/SiC界面处存在一层无定型C.去除Ni2Si合金相与无定型C之后重新淀积金属,不经退火即可形成欧姆接触.同时,注入层的方块电阻Rsh从975下降到438Ω/□.结果表明,合金化退火过程中形成了起施主作用的C空位(VC) .C空位提高了有效载流子浓度并对最终形成欧姆接触起到了重要作用.; 郭辉张义门张玉明; 关键词：NI 欧姆接触 SIC 离子注入

SiC外延层表面化学态的研究被引量：4: 2008年; 用高分辨X射线光电子能谱仪(XPS)和傅里叶变换红外(FTIR)光谱仪研究了SiC外延层表面的组分结构.XPS宽扫描谱,红外掠反射吸收谱及红外镜面反射谱的解析结果说明SiC外延层表面是由Si—O—Si和Si—CH2—Si聚合体构成的非晶SiCxOy:H.SiC外延层表面的化学态结构为Si(CH2)4,SiO(CH2)3,SiO2(CH3)2,SiO3(CH3),Si—Si,游离H2O,缔合OH,Si—OH,O和O2.根据化学态结构和元素电负性确定了化学态的各原子芯电子束缚能顺序,并与XPS窄扫描谱拟合结果相对比,建立了化学态与其束缚能的对应关系,进而用Si(CH2)4的实际C1s束缚能值进行校正,确定了各化学态的束缚能.结果发现,除了SiCxOy(x=1,2,3,4,x+y=4)的Si2p束缚能彼此不同外,其C1s和O1s彼此也不相同,其中SiO2(CH3)2和SiO3(CH3)的C1s束缚能与CHm和C—O中C1s的相近,对此从化学态结构,元素电负性和邻位效应进行了解释.; 马格林张玉明张义门马仲发; 关键词：SIC 化学态 XPS FTIR

SiC表面C 1s谱最优拟合参数的研究被引量：1: 2008年; 提出了一种新的,用未限定拟合峰位置、半高宽和峰面积的X射线光电子谱拟合方法,研究了拟合峰的数目、函数类型及背景对SiC表面C1s谱拟合结果的影响,并与样品表面宽扫描X射线光电子谱和红外掠反射吸收谱相对照,确定了SiC表面C1s谱的最优拟合参数,获得了与文献中数值相同的C1s束缚能.为SiC及其他材料表面元素窄扫描X射线光电子谱的拟合和化学态结构的鉴定奠定了基础.; 马格林张玉明张义门马仲发; 关键词：SIC X射线光电子谱

一种宽输入范围CMOS模拟乘法器的优化设计被引量：3: 2008年; 设计了一种基于CMOS工艺设计的宽输入范围的Gilbert单元乘法器。通过在乘法器的输入端加入有源衰减器和电位平移电路,增大了乘法器的输入范围(±4 V)。该乘法器采用TSMC 0.35μm的CMOS工艺进行设计,并用HSpice仿真器对电路进行了仿真,得到了电源电压为±4 V,以及线性电压输入范围为±4 V时,非线性误差小于1.0%,乘法运算误差小于0.3%,x输入端的-3 dB带宽为470 MHz,y输入端的-3 dB带宽为4.20 GHz的良好结果,整个乘法器电路的功耗为2.82 mW。; 戴瀚斌张玉明张义门郭辉; 关键词：GILBERT单元有源衰减器

钒掺杂形成半绝缘6H-SiC的补偿机理(英文): 2008年; 研究了钒掺杂生长半绝缘6 H-SiC的补偿机理.二次离子质谱分析结果表明,非故意掺杂生长的6 H-SiC中,氮是主要的剩余浅施主杂质.通过较深的钒受主能级对氮施主的补偿作用,得到了具有半绝缘特性的SiC材料.借助电子顺磁共振和吸收光谱分析,发现SiC中同时存在中性钒( V4 +)和受主态钒( V3 +)的电荷态,表明掺入的部分杂质钒通过补偿浅施主杂质氮,形成受主态钒,这与二次离子质谱分析结果相吻合.通过对样品进行吸收光谱和低温光致发光测量,发现钒受主能级在6 H-SiC中位于导带下0.62eV处.; 王超张义门张玉明王悦湖徐大庆; 关键词：6H-SIC 半绝缘

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