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国家高技术研究发展计划(2002AA3Z1330)

作品数：3 被引量：20H指数：3
相关作者：郑金红文武黄志齐杨澜王艳梅更多>>
相关机构：北京化学试剂研究所北京师范大学更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：理学电子电信化学工程更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇光刻
  • 2篇光刻胶
  • 1篇酸增殖剂
  • 1篇抗蚀剂
  • 1篇光致
  • 1篇光致抗蚀剂
  • 1篇感度
  • 1篇ULSI

机构

  • 2篇北京化学试剂...
  • 1篇北京师范大学

作者

  • 2篇黄志齐
  • 2篇文武
  • 2篇郑金红
  • 1篇张改莲
  • 1篇王文君
  • 1篇王力元
  • 1篇余尚先
  • 1篇陈昕
  • 1篇焦小明
  • 1篇王艳梅
  • 1篇杨澜

传媒

  • 2篇感光科学与光...
  • 1篇精细化工

年份

  • 2篇2005
  • 1篇2003
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
酸增殖剂研究进展被引量：6
2003年
本文综述了能有效提高化学增幅抗蚀剂体系感度的各种类型酸增殖剂及其酸增殖机理.对某些常用于光致抗蚀剂中的酸增殖剂的特性作了介绍.并对它们的应用前景、现存问题和改进方向进行了简单讨论和介绍.
王文君张改莲王力元余尚先
关键词：酸增殖剂光致抗蚀剂感度
193nm光刻胶的研制被引量：8
2005年
从主体树脂的结构设计、单体的合成工艺、主体树脂的合成工艺、光致产酸剂的评价、配方研究等多个方面论述了193nm光刻胶的研制工艺,合成出了多种适用的单体及多种结构的主体树脂,进行了大量的配方研究,筛选出了最佳配方.研制出的样品经美国SEMATECH实验室应用评价其最佳分辨率为0.1μm,最小曝光量为26mJ/cm2,不但具有优异的分辨率和光敏性,而且还具有良好的粘附性和抗干法腐蚀性.
郑金红黄志齐陈昕焦小明杨澜文武高子奇王艳梅
关键词：光刻胶
ULSI用193nm光刻胶的研究进展被引量：12
2005年
从193nm光刻胶的各个组分,如:主体树脂、光致产酸剂、溶解抑制剂、碱性添加剂以及存在的问题和解决途径等多个方面综述了193nm深紫外光刻胶的发展与现状。
郑金红黄志齐文武
关键词：光刻胶
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